（来源：长江存储）
由于 2018 年 NAND Flash 价格持续大跌，环球 NAND Flash 阵营纷纭推迟 96 层 3D NAND 扩产的操持，导致全体 3D NAND 技能制程的演进较原来预期慢。
目前市情上的 96 层技能虽然已经量产，但真正流利的数量并不多，主流仍因此 64/72 层技能的 3D NAND 芯片为主。因此，这也给了长江存储一个很好的追赶和喘息机会。
业界传言，长江存储即将在 2020 年跳过 96 层直接进入 128 层 3D NAND 技能，意思是明年此时，海内的 3D NAND 技能可以跻身于国际大厂行列。
以目前进度来看，2020 年将会是 100+ 层 3D NAND 技能的爆发之年，包括三星电子、SK海力士、东芝、美光等国际 NAND Flash 主流供应商都已经开始量产 96 层，并且为 128 层 3D NAND 技能热身，2020 年即将为最激烈的 3D NAND 大战拉开序幕。
以此差距来看，若是长江存储能够在 2020 年成功问鼎 128 层 3D NAND 技能，与国际大厂之间的差距缩小至 1~1.5 代，追上主流供应商仅是一步之遥。
（来源：长江存储）
NAND Flash 很早就来到摩尔定律的极限，因此早已经从平面 2D NAND 转到 3D NAND 技能。
进入 3D NAND 时期，追求缩小 Cell 单元不是紧张目标，而是通过 3D 堆叠技能封装更多 Cell 单元，因此，过去业界常常强调的 1x 纳米、2x 纳米等高端技能也不是重点。
在这样的时空背景下，2D NAND 转进 3D NAND 技能也给了海内技能自主阵营一个入局的好机遇，紫光集团扶植的长江存储才得以一举成功，以自主研发的 3D NAND 技能冲破国际垄断。
再者，过往 NAND Flash 的制程构造分为浮动闸极（floating gate）和电荷捕捉（charge trap）两派，彼此事理和特性都大不相同，但 Floating Gate 构造一贯是2D NAND供应商的共识。
直到 3D NAND 技能时期来临之后，三星、东芝、SK海力士等主流供应商都转到 charge trap 技能，长江存储也是采取 charge trap 技能构造。
相较于 Floating Gate 构造，charge trap 技能构造紧张是看好其制造工艺更大略、存储单元间距可以更小、可靠度较高、隧道氧化层老化磨损速率也可降落。但美光、英特尔的选择则是不同，是连续将 floating gate 构造用于 3D NAND 技能中。
长江存储的 64 层 3D NAND 分外之处在于，是环球首款基于 Xtacking 架构设计并实现量产的 3D NAND 芯片。
长江存储指出，Xtacking 可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，这样的做法有利于选择更前辈的制造工艺。再者，当两片晶圆各自落成后，Xtacking 技能只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道（VIA）将两片晶圆键合，会比传统 3D NAND 闪存架构带来更快的 I/O 传输速率、高的存储密度，以及有助于缩短产品上市周期。
（来源：DeepTech供应）
长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后于 2016 年 7 月成立，目前已成为海内唯一冲破国际垄断的 3D NAND 供应商，更发展成为国家存储基地的代表。
长江存储在 3D NAND 技能上的重大里程碑，是于 2018 年量产 32 层 3D NAND 芯片，当时是试验性生产，目的在于证明 3D NAND 技能是可行且成功的。
此刻，则是再度宣告导入 Xtacking 技能的 64 层 3D NAND 正式量产，长江存储并操持推出 64 层 3D NAND 的固态硬盘 SSD、UFS 等产品，主攻数据中、企业级做事器、个人电脑和移动设备等。
长江存储第一期的单月产能约 10 万片规模，随着 64 层 3D NAND 芯片量产，将开始加快投片速率，推测若是进度顺利，也将推进第二期生产基地的开工。届时，将力拼营运规模，有助于海内 3D NAND 芯片启动规模化量产。
长江存储成功研发 64 层 3D NAND ，标志着已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。公司表示，仍将持续投入研发资源，以通过技能和产品的迭代，使每一代产品都具备强劲的市场竞争力。
长江存储联席首席技能官、技能研发中央高等副总裁程卫华表示，通过将 Xtacking 架构引入批量生产，能够显著提升产品性能，缩短开拓周期和生产制造周期，从而推动高速大容量存储办理方案市场的快速发展。
程卫华也提到，随着 5G、人工智能、超大规模数据中央的时期到临，环球对付 3D NAND 芯片的需求将持续增长，长江存储 64 层 3D NAND 闪存产品的量产将为环球存储器市场康健发展注入新动力。
