阿斯加特(Asgard)的SSD采取了紫光的3DNAND颗粒。根据不同的SSD产品，YMTC 128L 3D NAND闪存器件的封装标记是不同的，例如，YMN09TC1B1HC6C（日期代码：2021 9W）或POWEV PYT02TV4IA1-X4PWA（日期代码：2021 31W）。
图1 显示封装标记
图2 显示NAND芯片标记（CDT1B）
图3显示YMTC 512 Gb 128L Xtacking 2.0 3D TLC NAND芯片的CMOS芯片标记（CDT1A或CDT1B）。
作为参考，YMTC 64L Xtacking 1.0 TLC 芯片对付 NAND 芯片 (Y01-08 BCT1B) 和 CMOS 外围芯片 (Y01A08 BCT1B) 的芯片标记略有不同。
YMTC 128L Xtacking 裸片
三星176L V-NAND和SK海力士176L 4D PUC NAND SSD尚未在商用市场上涌现，这彷佛很故意义。YMTC 512Gb 128L Xtacking 2.0 TLC 芯片尺寸为 60.42 平方毫米。位密度增加到 8.48 Gb/平方毫米，比 Xtacking 1.0 芯片 (256Gb) 高 92%。由于长江存储Xtacking稠浊键合技能利用两片晶圆来集成3D NAND器件，因此我们可以找到两个die，一个用于NAND阵列芯片，另一个用于CMOS外围芯片。
图 4. YMTC 128L Xtacking 2.0 NAND Die 平面图
图 5. YMTC 128L Xtacking 2.0 Peripheral CMOS Die Floorplan
图4 显示了长江存储128L Xtacking 2.0芯片的NAND芯片布局图，图5显示了CMOS外围芯片布局图。Xtacking 架构旨在让长江存储在最大化其内存阵列密度的同时得到超快 I/O，例如 SSD 的读取速率为 7500 MB/s，写入速率为 5500 MB/s。该芯片采取四平面设计，所有 CMOS 外围电路（例如页面缓冲器、列解码器、电荷泵、全局数据路径和电压发生器/选择器）都放置在 3D NAND 单元阵列芯片下方的逻辑芯片上。
YMTC 128L Xtacking 2.0 规格和单元构造
YMTC 128L Xtacking 2.0单元构造由两个层板组成，通过层板接口缓冲层连接，与KIOXIA 112L BiCS 3D NAND构造的工艺相同。单元尺寸、CSL间距和9孔VC布局与以前的64L Xtacking 1.0单元保持相同的设计和尺寸（水平/垂直WL和BL间距）。门的总数为141（141T），包括选择器和用于TLC操作的虚拟WLs。
图6显示了YMTC三维NAND单元在WL方向的构造，以及32L（T-CAT，39T）、64L（Xtacking 1.0，73T）和128L（Xtacking 2.0，141T）的总门数注释。
上层有72个tungsten gates，而下层由69个门组成。包括BEOL Al、NAND裸片和外围逻辑芯片在内的金属层总数为10，这意味着与64L Xtacking 1.0工艺集成比较，外围逻辑芯片中增加了两个铜金属层。通道VC孔的高度增加了一倍，为8.49微米。
Techinsghts 认为长江存储的128层工艺在容量、位密度和I/O速率方面实现了行业领先的新标准。
与三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK hynix（4D PUC）的现有128L 512Gb 3D TLC NAND产品比较，裸片尺寸更小，这使得它的比特密度最高。四板芯片平面图和两层阵列构造与美光和SK hynix相同，但每串选择器和虚拟WL的数量为13个，比美光和SK hynix 小（两者均为147T）。由于采取Xtacking稠浊键合方法，利用的金属层数远高于其他产品表2显示了128L 512Gb 3D TLC NAND产品的比较，包括刚刚发布的YMTC 128L Xtacking 2.0 3D NAND。
