1.OM 显微镜不雅观测，外不雅观剖析
2.C-SAM（超声波扫描显微镜）
（1）材料内部的晶格构造，杂质颗粒，夹杂物，沉淀物，
（2） 内部裂纹。（3）分层毛病。（4）空洞，气泡，空隙等。
3. X－Ray 检测IC封装中的各种毛病如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完全性，PCB制程中可能存在的毛病如对齐不良或桥接，开路、短路或不正常连接的毛病，封装中的锡球完全性。（这几种是芯片发生失落效后首先利用的非毁坏性剖析手段）
4.SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料构造剖析/毛病不雅观察，元素组成常规微区剖析，精确丈量元器件尺寸）
5.取die，开封 利用激光开封机和自动酸开封机将被检样品(不适用于陶瓷和金属封装)的封装外壳部分去除，使被检样品内部构造暴露。
6. EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变革测试/LC 液晶热点侦测（这三者属于常用泄电流路径剖析手段，探求发热点，LC要借助探针台，示波器）
7.切割制样:利用切割制样模块将小样品进行固定，以方便后续实验进行
8.去层:利用等离子刻蚀机(RIE)去除芯片内部的钝化层，使被检样品下层金属暴露，如需去除金属层不雅观察下层构造，可利用研磨机进行研磨去层。
9. FIB做一些电路修正，切点不雅观察
10. Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试。
11. ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试（有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试，有些客户是失落效发生后才想到要筛取良片送验）这些已经提到了多数常用手段。
除了常用手段之外还有其他一些失落效剖析手段，原子力显微镜AFM ，二次离子质谱 SIMS，翱翔韶光质谱TOF － SIMS ，透射电镜TEM ， 场发射电镜，场发射扫描俄歇探针， X 光电子能谱XPS ，L-I-V测试系统，能量丢失 X 光微区剖析系统等很多手段，不过这些项目不是很常用。
芯片剖析
剖析步骤：
1.一样平常先做外不雅观检讨，看看有没有crack，burnt mark 什么的，拍照；
2.非毁坏性剖析：紧张是xray--看内部构造，超声波扫描显微
镜（C-SAM）--看有没delaminaTIon，等等；
3.电测：紧张工具，IV，万用表，示波器，sony tek370b；
4.毁坏性剖析：机器decap，化学 decap 芯片开封机。
