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超大年夜规模集成电路倒装焊设计技能研究_倒装_疆土

雨夜梧桐 2025-01-13 22:55:55 0

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张磊 王健

(中国电子科技集团公司第五十四研究所)

超大年夜规模集成电路倒装焊设计技能研究_倒装_疆土 超大年夜规模集成电路倒装焊设计技能研究_倒装_疆土 智能

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(图片来自网络侵删)

封装是集成电路设计流程中非常主要的一环,是管芯的环境载体,供应了信息交互、电源供给、散热与构造强度。
随着集成电路工艺发展,管脚数目越来越多、频率逐年翻番,只有采取管脚集成度更高、速率更快的倒装焊封装技能,才能知足设计哀求。
本文从版图布局开始,对重布线层设计、柱下金属层的加工、基板设计,以及与流片厂商、封装厂商数据交互,进行了归纳总结,为对倒装焊封装设计有需求的项目供应了参考见地,具有一定借鉴意义。

1 媒介

封装是将芯片的“裸芯”通过膜技能及微细加工技能,固定在框架或基板上,完成粘贴及连接,通过引出接线端子,完成对外的电器互联。
随着集成电路家当的发展,流片加工工艺越来越前辈,单片集成度越来越高,引出端数目也越来越多,传统四周排布 PAD 的办法,无论是 in-line 或是stagger,都可能无法知足间隔哀求。
同时,很多大规模电路功耗较大、所集成的外设速率越来越高,例如高速 SERDES 接口,传输速率高达 12.5GHz,致使传统的引线键合(wire bond)封装技能,由金线带来的寄生参数无法知足设计指标求,从而必须采取倒装焊封装技能手段,来知足较多的引出端数目、较大的供电能力,以及超高的速率哀求。
wire bond 封装和倒装焊封装的差异,一是,前者引出端为四周引出办法,倒装焊封装的引出端为内部二维矩阵排布,二者的封装键合图如图 1 所示。

二是,倒装焊封装由四周排布扩展至二维矩阵排布,从而使得引出端数量大幅增加,理论引出端数量比拟见表 1。

本文所选取的超大规模集成电路芯片,集成了12.5Gbps 高速 Serdes 硬核,DDR 硬核,LVDS 接口,以及业务处理所需的数据接口。
实现工艺为中芯国际(SMIC)65nm,面积达到了 7000 mm×7500mm,管芯引出端数量靠近 700 个,封装形式为 CBGA272。

由于全体芯片封装过程中,须要物理版图工程师、Foundry 工程师,与封装厂商三部分高度协同设计。
不同身份的设计师,在数据交互时,各自理解不同,随意马虎产生事情冗余迭代,影响效率。
以是,本文将芯片封装过程所涉及的事情内容进行了梳理,展开来进行阐述。

2 管芯设计内容

此章节紧张事情由物理版图设计师完成,针对倒装焊设计与传统引线键合设计的差异进行了阐述。

2.1 版图布局设计

如图 2 所示,倒装焊封装的 IO 虽然是二维矩阵式(area-IO)排布,但须要把稳的是在物理设计时,引出端可以依旧选择四周排布的办法(peripheral-IO)。

例如本芯片集成的 Serdes 核为硬核形式,IP 设计师给出了图形信息以供走线互连。
其他部分的 IO将按照传统布局办法进行连接。

其余,由于本芯片功耗未超过 1W,压降效果不明显,故无需像 FPGA 管芯的设计,从内部做垂直形状的 IO。

2.2 重布线层设计

重布线层(RDL,Redistribute Layer)。
其为倒装焊设计独占的层,用来对管芯引脚重新走线,最大化的增加引出端数量。
在 SMIC 65nm 加工工艺中,重布线层的掩膜板层命名见表 2。

在设计时,须要参考 SMIC 的设计规则,紧张规则如表 3 和图 3 所示。

表 3 显示了详细规则数值。
例如 RDL 布线间距(trace space)不得小于 12um,每个 bump 间距(bump pitch)不得小于 150um 等等规则。

本芯片的目标设计时,结合 BGA272 的封装形式,其 RDL 层布线如图 4 所示。

完成了全体重布线层版图设计,形成了终极的GDSII 文件,就可以提互换片数据。

2.3 版图数据提交

图 5 显示了版图工具中翻转、镜像的设置界面,基此,单颗管芯设计完成后,要提交的版图数据包括:一是须要整理出整颗管芯的尺寸,每个引出真个坐标,是否预留了划片道等信息。
二是将该信息交付到流片工程师,完成整版的拼版,此时须要把稳的是倒装焊由于是“倒装”的焊接到基板上,须要特殊把稳是否存在版图镜像、翻转的操作。

3 封装设计内容

3.1 封装信息交互

当完成了目标的 RDL 设计之后,就可以提互换片厂商进行 Wafer 的加工生产了,并进行干系封装信息交互。
流片厂商会反馈各种信息,个中有些是须要供应给后道封装的。
包括晶片初始厚度、目标减薄厚度,划片道宽度、焊盘尺寸与开口尺寸等信息。

3.2 UBM 层制作把稳事变

凸块底部金属(UBM)层一样平常为第三方加工厂制作,须要基于整张 Wafer 进行 MASK 设计,须要精度较高的 Floorplan 图(见图 6),以及倒装焊目标芯片的 IO 坐标。
将在版图中丈量出的间距信息供应至UBM 厂商,完成 0.01um 级别精度的 MASK 制作。

3.3 基板及外壳制作内容

图 7 是基板走线示意图,从中看出,基板(sub- strate)设计,与高速 PCB 设计规则类似,紧张须要考虑电地及旗子暗记的走线,避免串扰,尽可能的降落层数,以便节省本钱。

完成了基板设计,如图 8 所示,要结合封装形式进行仿真。

3.4 封装芯片成品

终极完成封装形式为 CBGA272 的倒装焊封装的芯片实物(见图 9),完成了 bump 植柱,未植焊接球。

4 总结及展望

毫无疑问,技能没有前辈和掉队一分,只有是否适用于当前产品。
倒装焊封装设计繁芜度较高,带来了更长的设计周期,增加了研发本钱;加工步骤的增多,带来了生产本钱的增加;前辈的片内封装技能,例如 UBM、基板,都须要进行锡料焊接,虚焊等成分导致良率降落,并且测试排查手段只能通过 X 光进行不雅观测,反馈迭代周期、本钱都较长。

当决定采取倒装焊封装后,每个环节的衔接交互都须要格外谨慎,保障芯片终极达到设计目标。

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