三星官宣开始量产512GB eUFS 3.1芯片写入速度超1.2GB/s_闪存_量产

3月17日，根据海内媒体宣布，三星正式对外宣告开始量产512GB eUFS3.1闪存，可以用户智好手机和平板，根据官方先容，全新的512GB eUFS3.1闪存较上代写入速率提升200%，达到了1200mb/s，而上一代仅为410mb/s。

根据三星先容，新的eUFS3.1闪存还将有128G和256G容量，同时三星还透露，位于中国西安的X2线已经在本月开始生产第五代V-NAND（9x层），韩国平泽市的P1线将转向第六代V-NAND闪存（1xx层）芯片的量产。

在已经到来的5G时期，以三星为代表的eUFS3.1可以打破手机读写速率，带来更高效的操作体验，同时连续引领手机行业迈向更高的价位段。

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