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长鑫存储申请延时电路与半导体器件专利提高延时电路的延时精度_单位_暗记

南宫静远 2024-11-12 09:16:15 0

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专利择要显示,本公开供应了一种延时电路与半导体器件,涉及电子电路技能领域,上述延时电路包括延时单元与线性稳压单元;个中,延时单元包括反相单元和电源掌握单元,所述反相单元用于吸收输入旗子暗记并对输入旗子暗记进行延迟,所述电源掌握单元用于根据电源掌握旗子暗记向反相单元供应电压;所述线性稳压单元耦接所述延时单元,用于根据参考电压输出所述电源掌握旗子暗记。
本公开可以准确掌握延时单元的延迟韶光,提高延时电路的延时精度。

本文源自金融界

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