长江存储是海内最大的3D NAND Flash（闪存芯片制造）厂商。长江存储在起诉书中提到，美光利用长江存储的专利技能，以抵御来自长江存储的竞争，并得到和保护市场份额。诉讼旨在办理以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻挡竞争和创新。
长江存储指控美光陵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。
长江存储在以上起诉书中称，长江存储不再是新秀（upstart），而已成为环球3D NAND市场的主要参与者。长江存储表示，去年11月，剖析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。
NAND Flash和DRAM是目前最紧张的两种存储介质，NAND Flash可制造SSD（固态硬盘）等存储器，用于手机、做事器、PC等产品。集邦咨询数据显示，今年第二季度，环球NAND Flash品牌厂商中，三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%，其他厂商占比仅3.8%。
2018年，长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片，2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存，2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。长江存储此前还推动扩产。集邦咨询剖析称，2022年第三季度，受长江存储扩大笔电Client SSD出货等影响，价格战日益激烈，原厂不得不拉大议价空间，吸引客户提高订单数量。
2022年10月，美国商务部工业和安全局发布出口牵制新规，限定对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将长江存储纳入出口牵制“实体清单”。
除NAND Flash外，美光也是紧张的DRAM生产商之一。2016年，生产DRAM的另一大存储芯片厂商福建晋华与联电签署技能互助协议，开拓DRAM干系制程技能，在福建晋江投资56.5亿美元培植一条12英寸晶圆厂生产线。2017年，美光在美国起诉晋华与联电，称晋华员工盗取其知识产权交给晋华。2018年，美国商务部又将晋华列入出口牵制“实体清单”。
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来源：作者：第一财经 郑栩彤
