格力电器申请芯片贯串衔接专利实现芯片与衬底的连接_金属_熔点

专利择要显示，本发明供应了一种芯片贯串衔接的工艺方法和一种芯片模组，该工艺方法包括在DBC衬底的芯片焊接层的第一区域上逐层成长能够进行瞬态液相烧结的第一金属层和第二金属层；第一金属层为高熔点金属，第二金属层为低熔点金属，第一金属层的层数比第二金属层的层数多一；在DBC衬底的芯片焊接层的第二区域上印刷纳米金属焊膏，纳米金属焊膏的印刷厚度与第一区域的金属层总厚度相同；第二区域位于第一区域的外围；将芯片覆盖于连接层上，得到待烧结的组件；采取低于第二金属的熔点的预烧结温度对待烧结的组件进行预烧结，在高于第二金属层的熔点的烧结温度下对预烧结后的待烧结的组件进行烧结，从而实现芯片与衬底的连接。

本文源自金融界