在变送模式下，RFV 输入和 RFH 输入旗子暗记都馈入单独的放大器。放大器之后的每条路径都通过 1:8 功率分路器，分成八个独立的通道。在吸收模式下，输入旗子暗记通过垂直或水平吸收通道并通过两个独立的 8:1 组合器，组合到公共 RFV 引脚或 RFH 引脚。在任一模式下，每个变送和吸收通道都包含一个矢量调制器 (VM) 来掌握相位，以及两个数字可变增益放大器 (DVGA) 来掌握幅度。VM 在发送或吸收模式下供应完全的 360° 相位调度范围，为 5.625° 相位步长供应 6 位分辨率。供应了用于变送和吸收 VM 的相位步进策略，以确保最佳相位步进性能。在传输模式下，总 DVGA 动态范围为 34.5，供应 6 位分辨率（产生 0.5 dB 幅度步长）和 5 位分辨率（产生 1 dB 幅度步长）。在吸收模式下，总动态范围为 28 dB，供应 5 位分辨率（产生 0.5 dB 幅度步长）和 5 位分辨率（产生 1 dB 幅度步长）。DVGA 在全体增益范围内供应平坦的相位相应。AN-2074 运用条记、ADMV4828 运用条记中供应了 DVGA1 和 DVGA2 的增益策略，以确保在衰减范围内优化性能；在传输模式下，从 0 dB 到 34.5 dB 的衰减具有 0.5 dB 步进分辨率 ，在吸收模式下，从 0 dB 至 28 dB 的衰减具有 0.5 dB 步进分辨率。变送通道包含单独的变送功率检波器，用于检测调制或连续波旗子暗记，以校准每个通道增益以及通道间增益失落配。每个吸收通道都包含一个 RF 功率过载电路（吸收通道过载检测电路），以防止由于壅塞事宜而对套件造成潜在破坏。ADMV4828 射频端口可以直接连接到贴片天线，以创建双极化毫米波 5G 子阵列。
ADMV4828 可以利用 3 线或 4 线串行端口接口 (SPI) 进行编程。集成的片内低压差 (LDO) 稳压器为 SPI 电路天生 1.0 V 电源，以减少所需的电源域数量。多种 SPI 模式可用于在正常操作期间实现快速启动和掌握。每个通道的幅度和相位可以单独设置，也可以利用用于波束成形的片内存储器，同时对多个通道进行编程。片内存储器最多可存储 2048 个波束位置，这些波束位置可分配给水平通道和垂直通道的变送模式或吸收模式。片内非易失落性存储器 (NVM) 用于存储出厂时每个单独通道的校准增益和相位偏移系数以及参考值。这些值用于实行通道到通道或芯片到芯片的校准。此外，四个地址引脚 (CHIP_ADD) 许可对同一串行线上多达 16 个套件进行独立 SPI 掌握。要利用相同的指令，通过相同的串行线掌握多个套件，请通过外部使能引脚 (BR_EN) 激活广播模式。专用的水平和垂直极化负载引脚（LOAD_V 和 LOAD_H）供应同一阵列中所有套件的同步。供应水平和垂直极化变送模式和吸收模式掌握引脚（TRX_H 或 TRX_V），可实现变送模式和吸收模式之间的快速切换。
ADMV4828 采取紧凑的 304 球、10 mm ×8.5 mm 芯片级封装球栅阵列 (CSP_BGA)。ADMV4828 在 −40°C 至 +95°C 的外壳温度 (TC) 范围内事情。这种 CSP_BGA 封装能够从封装的顶部对 ADMV4828 进行散热，以实现最高效的散热，并许可在印刷电路板 (PCB) 的另一侧灵巧放置天线。
运用
mmW 5G 运用
宽带通信
https://www.rfz1.com/news_view.aspx?TypeId=28&Id=1641&Fid=t2:28:2
