集成电路工艺专栏之一：一文说明硅片研磨工艺_硅片_磨削

与此同时通入研磨浆料并对硅片加压，利用高下磨盘的压力和研磨酱料的摩擦浸染，实现对硅片的双面研磨。
研磨盘一样平常用铸铁材质，盘面上设置沟槽，沟槽宽度为1-2mm，深度约为10mm，以利于研磨浆料的均匀分布和研磨废物的排出。
研磨浆料紧张由磨砂（粒径5-10µm的氧化铝和氧化锆微粉等）和磨液（水、表面活性剂）组成，磨砂的硬度、粒径和均匀性，磨液对磨砂的悬浮性、分散性，磨液的润滑性及其对设备的防锈性能是研磨浆料的主要性能，硅片直径200mm及以下的硅片双面研磨工艺如下图所示：

在300mm硅片的制备工艺中，目前广泛采取单片表面磨削技能替代传统的双面研磨工艺，两工艺紧张差别如下：

单面磨削加工后的硅片表面随意马虎留下明显的磨削印痕，会对后道工序带来影响。
当前随着双面磨削技能的成熟，已经有能对300mm硅片进行双面研磨的设备，由此可见未来大尺寸双面磨削将成为硅片研磨技能发展的方向。

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