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近日，电科芯片成功打破高光阈值铌酸锂电光相位调制器关键技能并形成系列化产品，为高能激光、可控核聚变、引力波探测等供应关键器件支撑。
作为电光旗子暗记转换的关键“翻译官”，铌酸锂电光相位调制器通过调制施加电压，掌握光束通过晶体后的相位变革，从而实现光旗子暗记的相位调制。电科芯片勇探光电子元器件“无人区”，打破多项关键核心技能，成功研制高光阈值铌酸锂电光相位调制器并形成系列化产品，具备低插入损耗、低半波电压、高带宽、高光阈值等特点，可用于光纤激光系统中的光谱展宽、光学相关合成以及相关通信系统中的旗子暗记调制等方面。
后续，项目团队将持续创新打破，研发更高频、小型化、低能耗的铌酸锂电光相位调制器产品，为光电家当高质量发展贡献力量。
（图片来自网络侵删）
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