ISSI异步SRAM存储芯片IS61LV25616AL功能简介_存储器_字节

IS61LV25616AL存储器的构造框图

当OE为高电平(不选)时，器件处于等待模式，功耗随着CMOS输入电平-起降落。
芯片使能输入CE和输出使能输入OE可方便实现存储器的扩展。
低电平有效的写使能( WE )掌握着存储器的写和读操作。
高字节(UB)和低字节(LB )掌握旗子暗记掌握着对数据字节的访问。
IS61LV25616AL含有以下封装形式: JEDEC 标准44脚400-mil SOJ.44脚TSOPTypelI.44 脚LQFP和48脚MiniBGA(8mmX10mm)。

管脚配置

IS61LV25616AL管脚配置

IS61LV25616AL管脚描述

SRAM的紧张特性高速访问韶光10,12ns ;CMOS低功耗事情;低等待模式功率小于CMOS 5mA范例值的等待电流; TTL兼容接口电平;单个3.3V 电源;完备静态操作无需时钟和刷新;三态输出;高低字 节数据掌握;可用的工业级温度SRAM的生产厂商很多，但是所生产的SRAM的内部构造大同小异。