ST推出新款MasterGaN4器件实现高达200瓦的高能效功率变换_栅极_暗记

作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品，MasterGaN4办理了繁芜的栅极掌握和电路布局难题，简化了宽带隙GaN功率半导体的运用设计。
MasterGaN4的输入容许电压为3.3V-15V，可以直接连接到掌握器，例如，霍尔效应传感器或微掌握器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。

GaN晶体管开关性能出色，事情频率更高，能效更高，散热发热更少，设计职员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器，设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。
MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，例如，有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。

4.75V-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。
内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(UVLO)以及过热保护，可进一步简化运用设计。
还有一个专用的关断引脚。

作为这次产品发布的一部分，意法半导体还推出一个MasterGaN4原型开拓板(EVALMASTERGAN4)。
这块评估板供应利用单一或互补旗子暗记驱动MasterGaN4的全部功能，以及一个可调的去世区韶光发生器。
用户可以灵巧地施加一个单独输入旗子暗记或PWM旗子暗记，插入一个外部自举二极管，隔离逻辑器件和栅极驱动器电源轨，以及利用一个低边电流采样电阻设计峰值电流模式拓扑。

MasterGaN4现已投产，采取9mm x 9mm x 1mm GQFN封装，超过2mm的爬电间隔确保在高压运用中的利用安全。