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八大年夜特点两款合封氮化镓芯片华源智信数字电源芯片介绍_电压_芯片

admin 2024-10-30 03:54:16 0

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华源智信半导体(深圳)有限公司 FAE经理 董发文师长西席揭橥了以《华源智信数字电源芯片先容》为主题的演讲。

华源智信半导体是一家行业领先的仿照和数模稠浊IC产品供应商,聚焦显示领域的电源芯片。
公司核心人物来自于iWatt、Dialog和PI公司,拥有丰富的数字电源管理履历以及设计技能积累。
董发文师长西席拥有二十年领先的半导体原厂技能与市场事情履历,熟习快充电源市场及AC-DC电源运用。

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这次演讲,董发文师长西席分别先容了华源电源芯片的特点、主推及新产品和基于华源芯片设计的部分快充DEMO。

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(图片来自网络侵删)

华源智信半导体的低级PWM系列芯片,可以在芯片Vcc供电电压低于8.3V时自动输出驱动脉冲,并在供电电压高于8.5V时关闭驱动旗子暗记输出,自动保持供电电压,可以利用较小容量的Vcc电容,避免在动态输出时涌现重启等问题。

在利用自保持功能,当负载空载满载切换时,Vcc不会重启,实际测试中,不须要特意增加VCC 电容的容值,Vcc供电电压不会跌到欠压保护点,肃清了不必要重启的问题。

华源智信的HY系列低级芯片还支持频率反向掌握技能,在输入电压升高时,满载开关频率会略微降落,实现更精良的高压效率。
传统的事情模式,开关频率随着电压升高而升高,会造成效率的低落。
而华源的方案,低级芯片可以在高压输入时,略微降落满载事情频率,提升效率到94%以上。

华源智信独占的自适应驱动技能可以平衡EMI和效率,能够调节驱动电阻,通过优化MOSFET的开启速率,在开启的时候利用弱驱动降落次级应力,并在Vds电压低落时采取强驱动,更快导通,降落导通电阻,来降落开关损耗,在驱动结束的时候采取弱驱动,从而优化EMI特性和效率。

华源还有其它的EMI办理方案——变压器屏蔽层接管。
方案在做EMI处理时,变压器上会加一些屏蔽方法,技能已经十分成熟。
华源在这一方面做了一些扩展运用,将屏蔽技能结合华源芯片特点进行处理,当inbox客户哀求辐射裕量(可以做到10dB以上)非常大时,便起到很大浸染,知足批量生产时的裕量哀求。

专利的变压器屏蔽层接管技能,可降落40M~80Mhz频段RE噪声高达5DB,并可担保量产RE余量及其同等性。

还有稳定环路掌握技能,PD快充运用输出电压变革范围很宽,如果是固定增益情形下,环路掌握外部参数相对来说调试会更困难,华源芯片内部采取分级环路补偿,使运用电路的环路设计大略稳定可靠。

快充的各个电压段环路稳定,并且对有峰值功率的充电器,只管利用很小的电流采取电阻,系统环路随意马虎调试,并且小负载时的音频噪声很小。

华源智信在同步整流方面有独占的技能创新,开机主动下拉技能可以在电源开机的时候拉低Gate引脚,保持0V输出,关断同步整流MOS,确保安全稳定事情。
在Vcc达到事情电压并延时后开启驱动旗子暗记输出,担保稳定可靠事情,提升可靠性,并降落对MOS管电容参数的哀求,降落系统本钱。

第七是电荷泵供电技能,在输出电压比较底的情形下可以把VCC电压提高到一个比较高的水平,得到一个比较高的驱动电压,从而使同步整流MOS的导通电阻比较小,提高全体系统的效率。

为了更加节能,在哀求低待机功耗时候,同步整流具备Green Mode功能在系统负载很小时,关掉同步整流输出,可进一步降落系统待机功耗,实际运用上可以做到知足20mW待机功耗哀求。

先容完华源电源芯片的特点,董发文师长西席紧接着针对公司目前主力产品以及新品进行详细先容。

华源智信HY913是一颗数字自适应多模式同步整流掌握器,适用于DCM/QR/CCM运行模式。
芯片内置电荷泵,可以将供电电压升压,确保同步整流管完备导通,低压输出时效率更高。
并支持开机下拉功能,支持预关断功能,加快关断速率,具有10ns关断延迟,支持CCM事情模式。
可在轻载时关闭驱动,进入绿色模式,降落待机功耗。

HY913内置积分功能,可以防止同步整流误开通,芯片支持3~25V供电范围,知足PPS供电范围,芯片内置低级和次级MOSFET同时导通保护,漏极检测引脚耐压高达150V,并支持内部供电电压钳位,无需外置绕组,外围元件精简,并具有更强的抗滋扰能力。

华源在HY913的根本上推出的HY923,可以放在正端或负端运用,关断速率块,反向尖峰电压低,耐压150V,驱动能力强,驱动电压钳位在7V,启动时驱动下拉功能,积分功能避免同步整流误开通。

华源智信还推出了两款QC3.0+的协议芯片,分别为HY5206和HY5205。
芯片外围十分精简,无需补偿环路,无需外置431,可实现精准的CV/CC,并支持外部OTP保护功能,VCC事情电压为16V,兼容主流的低级PWM掌握器芯片,匹配性强,知足本钱优先的运用。

华源还将推出集成降压变换的快充协议芯片HY5531,采取QFN小尺寸封装,支持USB PD3.1 协议规范以及各手机厂商的快充协议,可自动检测USB设备的插入和移除,具备完善的各种保护功能。

HY5531内部集成3.6A的降压变换器,可编程设置降压变换器的事情频率,支持宽事情电压范围,支持级连功率自动分配,易于配置组合成多口快充。

华源智信HY1655和HY3655是多模式反激电源掌握器,均采取SOP7封装,支持高压启动,具有低事情电流,待机功耗低于20mW。
芯片支持外置OTP过热保护功能,在不同输出电压时OTP过热保护同等,同时还支持LPS保护功能,支持PD电源运用。

芯片在低压输入时在CCM模式运行,高压输入时采取QR模式,高低压下都具有较高的效率。
芯片支持65KHz,89KHz,135KHz和200KHz频率可选,知足不同设计的运用,芯片内置专利的智能驱动,可优化EMI并提高效率。

个中HY1655支持12V驱动电压钳位,HY3655支持6.2V驱动电压钳位,HY1655适用于CoolMOS和耗尽型氮化镓运用,HY3655适用于增强型氮化镓运用,两款芯片都支持Vcc自保持功能,并且具有ESD保护功能,支持输出OVP保护和外部OTP 保护。

HYC3656是华源新推出的集成GaN的反激变换器,可用于45-65W快充运用设计。
HYC3656采取DFN6x8封装,内置650V/165mΩ的氮化镓功率器件,事情频率可选89k、130k和200k;采取GND脚散热,有利于layout、EMI和散热处理。
如上图所示,基于华源HYC3656设计的65W DEMO,三围仅242445mm,功率密度达2.51W/cm³。

另一款集成GaN的反激变换器是华源HYC3606,可用于30-45W快充运用设计。
HYC3656有ESOP8、DFN5x6、DFN6x8三种封装可选,个中ESOP封装最具性价比。
此外内置650V/365mΩ的氮化镓功率器件,同样采取GND脚散热。
基于华源HYC3606设计的30W DEMO,三围仅242626mm,功率密度达1.85W/cm³。

基于华源HYC3601E+HYC9110+HY916全套方案设计的20W PD快充DEMO,采取2+4层板设计,采取ATQ17变压器,全体DEMO尺寸仅252323mm。
基于该方案的待机功耗仅53mW,各档位输出的效率分别为90.19%@ 9V /90Vac、91.52%@ 9V /230Vac、90.62%@ 12V /90Vac和91.62%@ 12V /230Vac。

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