华为公司申请存储芯片及电子设备专利专利技能能提高存储芯片的面积效率_缓存_晶体管

专利择要显示，本申请公开一种存储芯片及电子设备，涉及半导体技能领域。
存储芯片包括缓存器，缓存器包括：第一堆叠构造、第一导电柱、第一铁电层、读晶体管和写晶体管。
第一堆叠构造包括至少一层第一板线层和位于第一板线层相对两侧的第一介质层。
在第一板线层的数量为多层的情形下，该多层第一板线层相连接。
第一导电柱贯穿第一堆叠构造。
第一铁电层位于第一板线层和第一导电柱之间，且环抱第一导电柱。
读晶体管的栅极与第一导电柱相连接。
写晶体管的源极和漏极中的一者与第一导电柱相连接。
上述缓存器采取铁电存储器形成，其铁电缓存单元呈2T1C构造。
缓存器构造大略，霸占的面积较小，有利于减小存储芯片中缓存器的面积占比，提高存储芯片的面积效率。

本文源自金融界