据数据统计，最近几年，在所有的芯片中，我国的芯片自产率不到20%，80%的比例靠入口。
当然根据方案，我们的目标是到2020年海内芯片自给率要达到40%，2025年则要达到70%，虽然任重道远，但也在一步一步的往前走。
近日，在广州召开的2018中国国际运用科技交易展览会上，国产5G通信基站GaN（氮化镓）功率放大器芯片亮相，据先容目前GaN芯片已完成产品设计并经由了客户认证，将在2019年推向市场。
GaN功率芯片是什么？可能很多人并不清楚，目前学术界将硅半导体称之为第一代技能，将碳化硅功率半导体称之为第二代技能，而GaN半导体则称之为第三代半导体技能。
氮化镓GaN能够让器件在更高的电压、频率和温度下运行。而GaN功率放大芯片紧张用于无线连接之中，尤其是一些发射性子的基站或设备之中。
目前在基站中，GaN功率放大器芯片的份额大约占到30%旁边，但随着5G的培植，估量未来将超过50%以上。而在5G专用基站中，或将达到80%以上的利用率。
这种功率放大芯片的优点是能够节能，在放大旗子暗记的同时，能够让无线旗子暗记的转换效率更高，衰减低，同时又能够最大程度地缩减子系统的尺寸和重量，便于掩护和培植。尤其在运营商的基站中利用特殊多。
而当5G来临时，我们知道会实现万物互联，即所有设备都可能通过5G网络上网。那么这种更节能的GaN功率放大芯片的利用场景将更多，乃至可以说所有5G基站中都可以利用到，毕竟人和人，人和机器，机器和机器都须要上网通信，就离不开旗子暗记放大。
以前海内的GaN功率放大器芯片基本上全部靠入口，紧张入口自美国、日本等国家，而中国在2017年下半年才建立第一条GaN生产线。而今当国产GaN芯片产品推出后，或将不再依赖入口了，不再怕别人卡脖子了，也为我们培植5G网络增长了一份底气，你以为呢？
