Grinding，中文研磨，常日称之为减薄，便是BG（Backside Grinding）工艺里面的Grinding.
▌为什么须要对晶圆进行减薄(Grinding)?
▌减薄(Grinding) 后有什么好处呢？
1）提高芯片的散热效率，随着芯片内部构造越来越繁芜，集成度越来越高，晶体管数量的越来越多，散热已逐渐成为影响芯片性能和寿命的关键成分。越薄的芯片越有利于热量从衬底导出。
2）减小芯片的封装体积。当前芯片等微电子产品逐渐向'轻'-'薄'-短'-'小'的方向发展，厚度减小的话，相应的芯片体积也就小了。
3）减少芯片的内部应力。芯片厚度越厚，事情过程中由于热量的产生，使得芯片背面产生内应力。随着芯片的热量升高，基体层之间的热差异性加剧，加大了芯片内应力。内应力越大，芯片就越随意马虎分裂。
4）提高电气性能。Wafer厚度越薄背面镀金使地平面越近，器件高频性能越好。
5）提高划片加工成品率。减薄后的Wafer可以减轻封装划片时的加工量，避免划片中产生的崩边、崩角等毛病，降落芯片破损概率等。
▌减薄（Grinding） Process有哪些？
减薄过程又叫背面研磨法，常用于厚度大于即是50㎛的晶圆，常日可以分为三个步骤：
步骤一：Rough Grinding/粗磨，利用大粒度的金刚砂轮磨料，砂轮每转的进给量大，单个磨粒的切深度大于临界切削深度。是范例的脆性域磨削。采取相对较大的进给速率，紧张考虑提高加工效率。占总磨削量的94%旁边。这个过程会引起较大的晶格损伤，边缘崩边等征象。
步骤二：Fine Grinding/精磨，利用小粒度的砂轮磨料，砂轮每转的给进量很小，一部分磨粒的切深小于临界切削深度，属于延性域切削。另一部分的切深大于临界切削深度，属于脆性域切削。给进速率降落，可以肃清前端粗磨产生的损伤，崩边等征象。占总磨削量的6%旁边。
步骤三：切割和抛光，类似于CMP（Chemical Mechanical Polishing，化学机器抛光），一样平常会在抛光垫和晶圆之间投入浆料（Slurry）和去离子水（Deionized Water）。这种抛光事情能减少晶圆和抛光垫之间的摩擦，使表面光亮。当Wafer较厚时，可以采取超风雅研磨（Super Fine Grinding），晶圆如果要越薄的话，就越须要进行抛光，如下的示意图。
▌减薄（Grinding）紧张有以下用场：
1）晶圆完全性（无破损）。
2）晶圆厚度精度及超薄化能力哀求。
3）晶圆表面TTV值哀求。
4）晶圆表面粗糙度哀求。
5）晶圆表面损伤层厚度（SSD）哀求。
6）晶圆厚度同等性哀求。
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