MRAM芯片MR4A16BYS35规格参数_存储器_产物

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁（Integrated Magnetic）产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出4Mb MRAM， 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。
现在所有须要无电数据保持以及SRAM性能的运用都可利用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性上风的MRAM技能。

Everspin科技公司表示将对MRAM产品线进行持续性快速的拓展，以便更多客户实现对产品差异化设计。
也将不断提高MRAM产品的容量，并以极具本钱效益的办法保持MRAM的独占特性。
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MR4A16BYS35是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并许可无限制的读/写循环。
在每次写入后，资料能持续保存超过20年。
此外与其它存储器不同，MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软缺点率(SER, soft error rate)。
这款16Mb MRAM由引脚和功能可与异步SRAM兼容。
MMR4A16BYS35目标运用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采取SRAM设计的系统。