打仗式光刻机
打仗式光刻机是上世纪70年代最紧张的光刻机台，不过在目前的研究机构中用的也比较多。打仗式光刻机又可以分为硬打仗，软打仗，真空打仗。
硬打仗
掩膜版与晶圆上的光刻胶直接地打仗，紧贴晶圆，没有任何间隙。但是掩膜版与晶圆之间打仗，晶圆的光刻胶会污染掩膜版.
软打仗
将掩膜版轻轻地放置在晶圆上，使得掩膜版和晶圆之间实际上是有打仗的，但打仗的压力比"硬打仗"要小得多。这种办法的目的是在确保高分辨率的同时，减少掩膜版和基材之间的破坏风险。
真空打仗
先将掩膜版与晶圆之间抽至真空，由于气压的浸染，掩膜版会被压向硅片，从而确保两者之间的均匀打仗。
靠近式光刻机
掩膜版与晶圆并不真正打仗，而是处于非常小的间隔（大约几微米），这种办法中掩膜版与晶圆之间有一个小间隙，大于软打仗但小于投影式光刻的间隙。虽然这个间隙相对较小，但它能够使使掩模和硅片不会直接打仗，从而降落了破坏的风险。
扫描投影式曝光机
把稳，这里说的不是Scanner。该种光刻机中掩膜版与图案的大小是1：1，即掩膜版上的尺寸与光刻胶上的图案尺寸相同。那为什么叫扫描？这是由于光是透过一条苗条的狭缝射在晶圆上，一样平常是一次曝光晶圆的数行，晶圆须要挪动位置，使光能将晶圆所有的区域都曝光。
步进投影式光刻机（stepper）
它利用透镜系统将掩模上的图案在小面积上逐个投影到硅片上。每次曝光一个小区域后，硅片会移动到下一个位置，直到全体硅片都被曝光。一个曝光区域便是一个“shot”。由于它是通过透镜系统投影，一样平常I线stepper利用的是5倍版，即掩膜版上图形尺寸是实际光刻胶上的尺寸的5倍，以是在掩膜板上可以设计更繁芜的图形。
步进扫描投影式光刻机（scanner）
在高真个半导系统编制造中一样平常会用到此种机型。Scanner的特点是在曝光过程中，掩膜版在一个方向上移动，同时晶圆在与其垂直的方向上同步移动。Scanner常日比其他曝光机具有更高的生产效率，设计和制造都非常繁芜，Scanner的购买和掩护本钱都很高。
UV光刻机的类型大致就这几种，本日只讲个梗概，后续我再分开逐一详细描述。
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