国产SRAM芯片SCLPSRAC1替代微芯23LCV512存储器_存储器_器件

微芯Microchip存储芯片芯片23LCV512是一款容量为512Kbit串行SRAM器件。
位宽64Kx8位组织，存储器通过大略的串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问。
如果运用须要更快的数据速率，则支持SDI（串行双接口）。
SRAM可以通过Vbat引脚由电池供电，从而使SRAM成为非易失落性。
该器件还支持对阵列的无限读写周期。
支持的温度范围-40℃至+85℃。
23LCV512采取标准封装，包括8引脚SOIC、PDIP和高等8引脚TSSOP。
国产伟凌创芯（EMI）SRAM芯片SCLPSRAC1可替代微芯23LCV512存储器。
伟凌创芯SCLPSRAC1是一款SPI SRAM静态存储芯片，存储器容量大小为512Kbit。
它在内部组织为64K字，每个字8位。
该器件采取最前辈的CMOS技能设计和制造，以供应高速性能和低功耗。
具备SPI兼容接口，最大时钟频率20MHz。
我司英尚微电子作为伟凌创芯EMI总代理商，可供应样品测试及产品干系技能支持。
串行SRAM是一种独立的易失落性存储器，它为您供应了一种大略且廉价的办法来为您的运用程序添加更多ram。
这些8引脚低功耗、高性能SRAM器件具有无限的耐用性和零写入韶光，使其成为涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、音频、视频、互联网、图形和其他数学和数据密集型运用的空想选择功能。