吉莱微取得一种低电容低残压单向ESD保护器件及其制作方法专利在芯片面积不变的前提下经由进程合理的结构设计获得更低的电容和更低的残压_光刻_金属

专利择要显示，本发明公开一种低电容低残压单向ESD保护器件，在P‑衬底材料上，正面光刻、磷注入、推进，形成N‑扩散区，正面光刻、硼注入、推进，形成P+扩散区，正面光刻、磷注入、推进，形成N+扩散区，介质层起到介质隔离的浸染，第一金属层、第二金属层分别表示ESD保护器件的两个电极度口，即为阳极。
本发明可以在芯片面积不变的条件下，通过合理的构造设计，得到更低的电容和更低的残压。
通过引入淀积表面钝化层，并通过正面光刻保留金属层下方的表面钝化层，从而提高金属层下方介质层的厚度，有效的降落寄生电容Cp。

本文源自金融界