Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)作为一家高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和环球供应商，曾与环球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)，推出过一款采取Transphorm的SuperGaN第四代技能的氮化镓场效应管(FET)平台而打造的65W 2C1A USB PD适配器。该适配用具有以下优点：系统设计大略，元件数量少，性能更高，可靠性一流。
飞宏65W 2C1A USB PD适配器通过氮化镓技能赋能，利用更小的器件实现更强的性能。使适配器体积仅为(51 x 55.3 x 29 mm)，十分小巧，配备两个USB-C端口和一个USB-A端口(2C1A)，可同时为三台设备充电，供应高达65W的USB PD和PPS功能。这款充电器采取了单个650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，与采取准谐振反激模式(QRF)拓扑构造的硅办理方案比较，功率丢失可减少约17%，节能和性能均有不错的提高。
美国Transphorm公司推出的这一款氮化镓功率芯片TP65H300G4LSG，是基于Transphorm的第4代GaN平台打造，除了采取前辈的epi和专利设计技能，通过简化制造工艺降落本钱，同时通过降落栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向规复电荷提高硅的效率。运用于充电器中的开关管，在氮化镓技能加持下，比较传统硅器件提升了能效、开关频率、系统功率密度的同时减小产品体积、重量，有效降落产品的系统本钱。适用于快充充电器、电源适配器及LED照明等运用。
TP65H300G4LSG的详细资料信息。其采取DFN88封装和Transphorm公司最前辈的高压GaN-HEMT和低压硅MOSFET技能，供应了卓越的可靠性和性能。拥有耐压650V以及240mΩ的导阻，加以超低的开关损耗和在>300kHz开关频率下依然可达到大于93%的转换效率，可以使产品轻松达到节能环保和安规哀求。
以上是Transphorm公司的部分氮化镓器件参数比拟图由充电头网制作，除了TP65H300G4LSG氮化镓开关管以外，为应对厂商的不同需求，Transphorm公司推出了一系列耐压650V的氮化镓功率器件，均采取DFN贴片封装，具有小体积，低导阻，低栅极电荷，低开关损耗以及降落的反向规复电荷。可用于传统硅开关管的氮化镓更换，从而提高转换效率，缩小电源体积，减少散热需求并降落本钱。
充电头网总结作为第三代半导体的氮化镓，比较传统硅基半导体，支持更高的开关频率，更高的电子密度和电子迁移率，更好的温度表现。氮化镓技能带来的低损耗和高开关频率，可降落导阻带来的发热和减小变压器和电容的体积，有助于设计出功率密度高、方便携带和重量轻的大功率快充充电器。可以有效提升用户体验。
Transphorm的氮化镓器件具有低开关损耗以及低栅极电荷等上风，可用于高频开关，宽而泛的驱动电压范围，能够很好的支持传统掌握器，实现高频开关的同时，降落整体系统本钱。充电器或者适配器产品在氮化镓材料加持下，可以有效缩小产品尺寸和得到更高的充电功率，轻松知足太阳能发电、LED照明、大功率快充运用等。助力充电器市场的绿色发展的和实现”双碳“目标。
