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三星电子宣告操持扩大其在平泽市的NAND生产能力，以增强其知足新兴技能需求的能力。
该扩建工程将在今年5月动工，预估投资规模为8万亿韩元（约合65亿美元），操持在2021年下半年开始量产三星前辈的V-NAND存储芯片，以知足不断增长的数据中央和智好手机存储需求。
三星电子存储器环球发卖与市场部实行副总裁Cheol Choi表示，“这项新投资重申了我们致力于保持存储技能领域领先地位的承诺，纵然在市场面临极大的不愿准时依然如此。
我们将连续以最优化的办理方案为市场做事，同时为全体IT行业和整体经济的增长做出贡献。
”

在人工智能，物联网和5G扩展推动下，催生出海量大容量存储需求，三星电子积极布局，增加投资，是为担保其在未来市场竞争中保持领先地位。
目前，三星电子NAND Flash生产线紧张分布在韩国华城、平泽以及中国西安。
个中，西安二期工厂和平泽P2工厂在积极扩建中。
近期，三星包机叮嘱消磨200多名扩建所需技能职员赴西安，加速推进西安工厂扩建事情。
平泽P2工厂作为NAND Flash和DRAM的稠浊产线于今年五月份安装设备同时培植极紫外光刻（EUV）生产线，操持生产前辈的DRAM。
而这次扩产是针对NAND Flash产线。
在NAND Flash投入上，除了在产能上持续投资之外，三星也正在加快前辈制程的过渡，于今年三月份宣告将在平泽P1产线由第五代V-NAND更新为最前辈的第六代V-NAND（100+层），西安二期产线量产第五代V-NAND，以完备知足高端市场存储需求。

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