AP8268高机能多模式PWM控制芯片_电压_芯片

1. 启动：AP8268 PWM掌握芯片的启动电流相称低，故VDD电压可快速的被充电到大于UVLO阈值电压UVLOoff，因此可利用一个较大的启动电阻用于减小损耗，同时得到较快的启动速率。
当VDD电压达到16.5V，芯片开始事情。
启动过程结束后，变压器赞助绕组对VDD电容供应能量。

2. 软启动：启动阶段，CS脚内部的最大峰值电流电压限定逐步的提高；可以大大减鄙吝件的应力，防止变压器饱和。
软启动韶光范例值为6ms。

3. 振荡器：AP8268 在 PWM 模式振荡频率固定，当IDMG>330uA时，系统处于高输入电压段，此时事情频率为65kHz，当IDMG<330uA时，系统处于低输入电压段，此时事情频率为90kHz。
AP8268通过提高低输入压时的事情频率，可降落对变压器的哀求。
根据DMG上偏电阻设置线电压分频点。

4. 降频事情模式：AP8268 PWM掌握芯片供应降频事情模式，通过检测FB脚电压，在轻载和空载条件低落低开关频率以提高轻载效率。
当FB脚电压小于VFB_PFM_L，芯片进入降频事情模式，开关频率随负载降落而降落，直至最小频率25kHz。

5. 谷底开通：AP8268 PWM掌握芯片根据开关管波形打算励磁电感与寄生电容振荡周期，在DCM模式下实现精确谷底开通，提高转换效率。

6. 间歇工作模式：极轻载时，AP8268 PWM掌握芯片进入间隙事情模式以减小待机功耗。
当负载减轻，反馈电压减小；当FB脚电压小于VFB_BM_L（范例1.15V），芯片进入间歇工作模式，功率管关断。
当FB脚超过VFB_BM_H时，开关管再次导通。

7. 输出驱动：AP8268 PWM掌握芯片的输出级采取的是图腾柱构造，用于驱动外部MOSFET的栅极。
去世区韶光防止了电源到地的直接通路，既降落了功耗，同时又担保了高压驱动管不被烧坏。
输出驱动的最大电压被内部的齐纳二极管箝位在12V。
AP8268经由优化的输出驱动电路，可减小开关损耗同时又有很好的EMI特性。

8. 斜坡补偿：AP8268 PWM掌握芯片采取峰值电流掌握，内置斜坡补偿功能，通过将电压锯齿旗子暗记叠加在采样电压旗子暗记上，以改进系统闭环稳定性。

9. 自适应的线电压补偿：AP8268 PWM掌握芯片通过DMG引脚上偏电阻检测输入电压，从而产生线补偿电流 ILC 到 CS 引脚，个中ILC=KIDMG，K=0.375为采样DMG引脚电流的比例系数。
线补偿电流ILC通过偏置连接在CS引脚与CS检测电阻Rcs间的电阻R3产生补偿电压，补偿量的大小由电阻R3的阻值决定。

10. 过压保护：AP8268PWM掌握芯片通过在消磁阶段采样赞助绕组电压，实现精确的过压保护。
当采样的DMG平台电压大于3V且持续7个PWM周期，触发输出OVP保护，输出关闭。
通过选择得当的DMG下偏电阻R2阻值来设置DMG OVP保护点。

11. 过载保护：负载电流超过预设定值时，系统会进入过载保护；在非常情形下，可对系统进行保护。
当VFB电压超过4.4V，经由固定60ms的延迟韶光，开关模式停滞。

12. 过温保护：AP8268 PWM掌握芯片集成了片上过温保护，当芯片温度超过150℃，芯片进入过温保护状态。