产生电容效应的绝缘涂层焊线布局
然而，与裸线键合工艺比较，绝缘线键合工艺具有一定寻衅。利用了纳米有机材料作为绝缘层，两种金属的直接打仗，键合线和铝焊盘形成IMC的是不可能） 。须要充分去除有机涂层，以实现两种金属的相互扩散。如果没有通过机器研磨(Mechanical Scrubbing)有效地肃清键合线涂层， 会产生如下键合问题，例如:键合线不粘(NSOL)和短尾。第一焊点烧球，在形成自由空气球(FAB)之前存在 (EFO)烧球，可以燃烧和蒸发有机涂层，对付绝缘涂层键合线线来说是相对随意马虎的工艺，但是较厚的绝缘涂层可能导致更多的或不规则的FAB形成在一些严重的情形下导致不粘在焊盘上的问题。
线材涂层对FAB形成的影响
Tape Ball Grid Array（TBGA）封装的最佳引线键合工艺和涂层材料配方，这标志着我们首次考试测验利用18微米的钯铜（Pd Cu）线来实现47微米键合间距（Bond Pitch, BPP） 的大规模生产能力。 TBGA以难键有名，由于在其基板配置中，在粘合剂层上方的聚酰亚胺挠性层上有着极细间距的引脚（lead finger）。特殊是在处理细间距引脚的情形下。 表征和优化流程涉及四个关键成分： 劈(Capillary)、等离子体洗濯、键合线涂层以及键合参数。
进行了一系列评估和试验，建立关于键合完全性和可焊性的每个成分的优化参数窗口。所有优化的设置后来被整合并进行大规模量产运行。根据HVM验证，所有的键合质量哀求都得到知足。 键合MTBA实现了超过2小时，并成功通过了工业级封装可靠性压力测试，没有电气故障。
未优化的18μm绝缘钯铜线MTBA与目标
总之，通过详细的工艺表征和对制造性能的仔细考虑，TBGA封装上最具寻衅性的18μm绝缘Pd Cu引线键合工艺成为可能。
18um绝缘钯铜线与钯铜线的键合强度比拟
