美光下一代3D NAND技能将略过48层，直接跳到64层，Q2开始量产，估量Q3中旬开始出货，除了以消费类市场移动存储、SSD运用为主，还将扩展到企业级领域，有望缓解市场缺货的市况。据悉，美光2016年底已有32GB（TLC B16A）容量64层3D NAND样品，从2017年Q2季度起逐步提高产量，同时增加42GB（MLC L1HA）和64GB（TLC B17A）容量，年底实现量产，到2018年初有望将容量提高到128GB，同时还会积极推动3D Xpoint技能在数据中央领域带来的营收代价。
由于3D NAND堆叠技能的上风，以及3D NAND TLC产出增加，使得单位Bit本钱减少，美光称第一代32层3D NAND要较16nm 2D NAND本钱至少减少25%，第二代64层3D NAND比32层本钱至少减30%，这也是美光急于向3D切换和更高堆叠层发展的主要缘故原由之一。随着美光3D NAND产出的增加，16nm 2D NAND产量会逐步减少，而且2D NAND制程也将闭幕于16nm，直接放弃2D NAND技能研发的操持。
美光NAND Flash生产基地主要分布在美国和新加坡，3D NAND紧张在新加坡工厂量产，新建的Fab 10X将在2017年扩大投产规模。
1、美国爱达荷州FAB1C工厂 - NAND研发中央所在地。
2、新加坡Fab 10X - 是3D NAND专用工厂，操持在2017年量产64层3D NAND，整体产能大约10-12万片/月。
3、新加坡Fab10N - 是目前3D NAND主力出货工厂， 2016年初逐步增加32层3D NAND，2017年逐步转向64层3D NAND制造，整体产能大约13万片/月。
4、新加坡Fab 7 - 用于生产2D NAND
5、犹他IMFT Fab2 - 生产2D NAND和3D xPoint，整体产能大约7万片/月。
6、维吉尼亚MTV - 生产2D NAND，整体产能大约4万片/月。
7、大连Fab68 - 英特尔独自投资55亿美元升级设备，2016年Q3开始试产32层3D NAND，2017年估量转至64层量产。
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