实际上，衡量土星5号有多生猛，除了推力这个指标外，还可以看发动机喷口的功耗密度。一样平常来说，火箭发动机喷口的功耗密度靠近每平方厘米1000瓦。至于万人敬仰的太阳，其表面的功耗密度超过了1000瓦/平方厘米。
在人类科技天下中，还有一样小小的东西，在功耗密度上可以和上面的庞然大物掰掰手腕，它便是芯片。
英特尔第一款商用CPU 4004，是古董级产品，晶体管数量只有2250个，2000年出品的奔驰4处理器，事情频率增加到2.8万倍，晶体管数量增加到2.4万倍。如果晶体管大小不变，事情电压不变，4004版的奔驰4处理器的功耗将增加到天文数字般的6.72亿倍，功耗密度超过20000瓦/平方厘米，是太阳表面的近20倍。
intel 4004
这是理论测算的结果，现实中不可能发生，但芯片的功耗密度之大，上升之快绝非骇人听闻，而是急迫的现实问题。
在2001年的国际固态电子电路会议上，专家们指出，处理器的功耗正以指数级的速率增长，如果这个趋势得不到遏制，到2005年时高速微处理器的功耗密度将遇上核反应堆，2010年与火箭发动机喷口不相上下，到2015年乃至可以与太阳表面的功耗密度并驾齐驱。
看起来核物理学家多年求而不得的人造太阳，有可能在芯片大厂手里实现了，这样想的话显然有违科学家的初衷，由于科学们实在是想向芯片行业提个醒，再不想办法办理芯片的功耗问题，南墙在等着你们的脑袋撞上来！
这堵“南墙”在芯片设计领域有个专有名称叫“功耗墙（Power Wall）”，是每一家芯片设计公司和芯片制造厂的必修课：要设计出高性能的芯片，就必须先办理飙涨的功耗问题。
现有的芯片大都是由CMOS（互补金属氧化物）逻辑电路构成，其功耗可以用一个公式粗略表达：
P∝CNV²f
公式中，C为负载电容，N为CPU中的晶体管数量，V为电源电压，f为事情频率。
不要被公式吓到，它概括后便是一句话：降落晶体管尺寸（负载电容减小）、减少晶体管数量、降落电压和事情频率，只要知足个中任何一项，CPU的功耗就会降落。
由于晶体管数量直接关系到CPU的性能和功能（苹果A12 X和A12芯片，麒麟990 5G和麒麟990E的内部架构完备相同，性能差距紧张表示在晶体管数量多少），摩尔定律说白了便是堆晶体管的数量，因此每一代芯片的晶体管数量只增不减，这也意味着降功耗就别打晶体管数量的主张了（产品档次区分除外）。
芯片事情频率也和性能干系，DIY时期，电脑超频发热友最喜好压榨CPU潜能，压榨的实在便是事情频率，以是也很少有芯片设计商和它过不去。
现在掰动手指头都能算清，工程师们要降落芯片的功耗，有两条路可走。第一条路是减小晶体管尺寸，这是ASML和台积电们的职责，制造分辨率更高的光刻机，把工艺制程从微米级一点点演进到纳米级，便是为了把晶体管做得小一点，降落负载电容，从而降落功耗。
通过海量烧钱，工程师已经把晶体管的尺寸做得极其眇小，目前量产的A14芯片和麒麟9000芯片，晶体管的栅长为5nm，仅为已知最小的动物病毒猪圆环病毒直径的1/3旁边，而在1995年，晶体管的栅长还只能做到350nm。也便是说，本日的芯片仅仅由于尺寸缩小，导致功耗仅有25年前的1/20旁边。
第二条路是让芯片这匹“马儿”吃得少一点，即降落芯片的电源电压。这条路由于没有昂贵的光刻机和海量烧钱的生产线做广告博取眼球，很少有人知道。
降落电压有个最大的好处便是紧张烧智力，而且比较做小晶体管尺寸的节能效果，更为生猛。根据上面的公式可以知道，电源电压和芯片能耗呈平方关系，也便是说电压每降落到原来的1/2，能量花费就减少到原来的1/4，这种指数级的关系，搞好了是相称惊人的。
2011年9月16日，芯片大户英特尔公布了一款邮票大小的CPU，开拓代号Claremont，它的特殊之处便是“吃”的特殊少，低负载时耗电量仅为10毫瓦，要知道现在手机SoC芯片中一颗CPU大核满载时，功耗就有1瓦，是Claremont的100倍。英特尔没有解释Claremont的电压是多少，但该当比手机CPU内核低得多，估计在1/10旁边。
Claremont
正由于Claremont胃口超小，一块小小的太阳能电池就可以喂饱，十分好养，如果用得手机或条记本电脑上，三天一充根本不算事。
不过英特尔也说了，Claremont这款处理器可能无法实现商用，但这项研究将被整合到今后的处理器和其他电路中。
为何英特尔不能量产Claremont处理器？一个主要的缘故原由是，通过降落CPU电压来减少功耗的难度不小。
芯片中的CMOS晶体管在进行开关动作时，有一个“阈值电压”，大略说便是划分“开（对应1的状态）”与“关（对应0的状态）”界线的特定值，上面讲的降落CPU电压来节省能耗的方法，实在便是让电源电压降落到逼近“阈值电压”。打个形象的比方，“阈值电压”相称于马儿的“饱腹感”，马儿只有吃饱了，才会跑得欢，为了省饲料，过去吃十分饱，现在降到八分饱、七分饱，乃至六分饱，不断逼近“饱腹感”这条线。
不过，这个类比并禁绝确，由于CMOS晶体管的功耗由动态功耗和静态功耗组成，动态功耗是晶体管进行开关动作时产生的功耗，占全体功耗的80%，静态功耗是晶体管处于截止状态时，由于泄电产生的功耗，占全体功耗的20%。
静态功耗有个特点，一样平常随电源电压升高而降落，这就带来新的麻烦。工程师想办法降落电源电压，芯片的动态功耗降落了，但静态功耗又像跷跷板一样逐渐升高，当电源电压低于阈值电压时，动态功耗缓慢低落，静态功耗却呈指数级上升，使芯片的降耗变成赔本的买卖。
更为主要的是，随着电源电压的降落，晶体管的切换速率会越来越慢，当电源电压低于阈值电压时，晶体管的开关状态越来越不稳定，开始混乱，芯片性能暴降，最差能降落到原来的1/500。
想让马儿跑，又要让马儿少吃草，末了是马儿不愿意跑，所谓“世间不快意者，十之八九”。
怎么办？工程师把电源电压尽力降到阈值电压附近，使动态功耗的低落超过静态功耗的上升，同时晶体管的开关速率低落在可承受范围，大略说只要降落的功耗幅度大大超过性能降落的幅度，这笔买卖就划算了。
目光锐利的网友会问，电源电压降到阈值电压的那一刻，不便是芯片工程师黔驴技穷的时候吗？确实如此，到时随着晶体管数量的上升，芯片的能耗又将飙涨，去追赶火箭发动机喷口，赶超太阳表面。
不过工程师的办法还是有的，那便是采取新材料或新的晶体管构造。2007年，晶体管源极绝缘层的二氧化硅被high-k金属匣极替代，这种新材料的利用，使泄电量减少5倍，功耗也大幅降落。
目前，被认为最有可能冲破现有功耗墙的赛道是碳基芯片，这条赛道上的选手有欧、美、中等国家和地区，只是现在还未到决出胜负的时候，不过胜负一旦决出，降维打击就会发生。
总之，当你刷手机时，你刷的实在是一个神奇的存在，由于没有芯片工程师不懈努力的话，你刷的将不是手机，而是“火箭发动机喷口”。
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