芯世界取得低擦除损伤专利有效降低NOR FLASH擦除过程中器件产生的损伤_擦除_毁伤

专利择要显示，本发明公开了一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，个中，方法：在对NOR FLASH进行擦除操作时，错开对芯片中存储单元进行擦除操作的正高压和负高压的建立韶光点和/或开释韶光点；该方法包含了两个阶段的操作以降落擦除操作的损伤，两个阶段的操作单独利用或同时利用，均可有效地避免正高压与负高压之间产生过大的压差而损伤MOS器件，从而可有效降落NOR FLASH擦除过程中器件产生的损伤。

本文源自金融界