超级电容充电芯片管脚
主动均衡超级电容升降压充电芯片运用线路如下所示，芯片采均匀电流模式掌握，从VIN管脚供应能量，并经由SW1与SW2间的电感做能量储存与开释，再流经VOUTP供应电流对C1a与C1b超级电容做充电；一旦两颗电容存在压差且充饱电或任一颗电容过压时，芯片停息充电并启动主动均衡，此时电容中央点MID管脚内部连接到SW1，并透过MID(SW1)、电感、SW2及VOUTP采取升压或降压的办法，将能量高的电容能量搬到能量低的电容，以达到均衡效果。
主动均衡超级电容升降压充电芯片运用线路
充电掌握
芯片采1.2MHz开关频率，恒定输入电流掌握Q1~Q4 MOSFET对电容做充电，如下图所示，此时Q5关闭，并限定电感最大峰值电流6.5A，最大总电压调节在FB=0.58V，一旦单颗电容电压超过MAXV设置的过压时停息充电并启动均衡。
芯片采取连续开关算法，当输入电压远大于输出电压时，芯片事情在降压模式，Q2、Q4保持着最小5%的占空比；当输出电压低于1.5V时，Q3常通、Q4常关；随着输入电压的降落，Q3、Q4开始开关并事情在升压模式，当输出电压低于1.5V时，仅调变Q3以得到较好的效率。
升降压充电与主动均衡拓朴
均衡掌握
当MID脚中点电压超过1.2V，且输出电压调节在FB电压或单颗电压超过MAXV设置电压时，LTC3128进入均衡模式，当压差超过60mV时启动均衡，并有60mV均衡完成的滞环电压去关闭均衡。
降压均衡
均衡时导通Q5开关并调节Q3与Q4占空比达到均衡掌握；当BAT1电压大于BAT2电压时，实行降压均衡，如下图所示；Q3导通此时BAT1对电感储能电流线性增加，当电感电流达到400mA时Q3关闭Q4导通，此时电感对BAT2释能电流线性减少，直到电流低落到50mA时，Q4关闭Q3再次导通周而复始的开关事情。
降压均衡
升压均衡
均衡时导通Q5开关并调节Q3与Q4占空比达到均衡掌握；当BAT2电压大于BAT1电压时，实行升压均衡，如下图所示；Q4导通此时BAT2对电感储能电流线性增加，当电感电流达到400mA时Q4关闭Q3导通，此时电感对BAT1释能电流线性减少，直到电流低落到50mA时，Q3关闭Q4再次导通周而复始的开关事情。
升压均衡
均衡时，开关调变限定了电流高下限值(迟滞电流模式)，同时电感大小影响了电流的斜率，进而影响了均衡时的开关频率，其电感量与频率的关系式如下所示
均衡频率公式
