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专利择要显示,本发明公开了一种测序芯片及其制备方法,测序芯片详细包括:基底;在基底上形成的吸附层,吸附层基于气相沉积在基底上沉积吸附材料形成;在吸附层上形成的氧化层;在氧化层上形成的压印层,压印层基于事情模具对氧化层上涂有的压印胶进行压印形成,压印层形成有与事情模具对应的图案;在形成有图案的氧化层上刻蚀形成有多少孔构造,多少孔构造具有吸附浸染。本申请的测序芯片不依赖DUV,可以利用除硅晶圆外的基底,如玻璃或非标准尺寸基底;测序芯片通量的进一步提升时,无需引入更前辈的DUV光刻机台与新的工艺流程,适用性更好;其余,测序芯片测序前处理工艺简化、测序芯片制作更自主可控、本钱更低。
本文源自金融界

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