▌IMP：Implant，中文：离子注入，又称之为离子植入，机理是：先使得待掺杂原子（分子）电离；然后离子在电场中被加速；高速离子射入到半导体中；最退却撤退火激活杂质。
由于炉管扩散工艺横向效应大,不能精确掌握掺杂浓度和分布， 随着器件尺寸的缩小，杂质分布哀求越来越浅，掺杂得精确度哀求越来越高。以是，在八零年代后，高真空离子注入工艺逐步取代扩散工艺（尤其是高阶制程）。
扩散和离子注入的差异：
离子注入（IMP）工艺，便是将须要作为掺杂剂的BF3、 AsH3 和 PH3 等元素原子电离，转变为离子，同时将其加速到一定能量后，注入到Wafer晶圆表面，以改变Wafer晶圆表面的物理和化学性子。
▌离子注入的工艺紧张分为两类：中束流，高束流（分为高能量和高电流）
中束流：低掺杂浓度，紧张是用于较浅的结节处。
高束流：高掺杂浓度，紧张是用于较深的结节处。
离子注入工艺中的关键参数有三个：剂量，能量，高真空；
▌离子注入的优点如下：
1.原子经由质量剖析器进行电离，其纯度高，不受源纯度的影响。注入过程在高温和真空下进行，避免了污染的风险。
2.掺杂过程不受衬底上的杂质溶度限定。各种元素都可以进行掺杂，使得掺杂变得更为灵巧多样。
3.衬底无需经由长韶光高温加热，可用光刻胶掩蔽，使得自对准掩蔽技能更加的灵巧多样，这是扩散无法实现的。其余，衬底温度低，故离子注入时不会改变内部原 杂质的分布构造。
4.横向效应小，有利于杂质的高度集成。
5.通过调节离子能量能独立掌握结深。
6.通过调节离子电流乘以注入韶光可以掌握掺杂剂量。采取多重注入，可得到各种掺杂分布。
7.透过SiO2注入可调节MOS器件阈值电压。
8.可实现有机化合物半导体掺杂。（化合物半导体高温处理时组分会发生变革，采取 离子注入可使之不分解）。
▌离子注入也有些缺陷：
1．高速注入的离子对晶格有损伤（须要肃清，但某些情形是无法完备肃清的）。
2．很浅和很深的注入分布无法实现。（沟道效应，要有一个角度注入）
3．高剂量注入时，与扩散比较离子注入的产能是有限定的（尤其是与同时运行200片硅片的扩散工艺比较）。
4．其机台设备很昂贵（一台最新设备约2百万美金）。
以下是国产离子注入设备
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