高通公司申请集成电路封装件专利能有效降低旗子暗记路径阻抗_暗记_旗子

专利择要显示，集成电路(IC)封装件，该IC封装件采取添补金属用于基于ETS的基板中的嵌入式金属迹线以降落旗子暗记路径阻抗。
IC封装件包括封装基板和设置在封装基板上的ETS金属化层。
为了缓解或抵消管芯电路与封装基板之间的较长旗子暗记路径中的阻抗的增加，该增加可导致降落的信令速率和/或增加的旗子暗记损耗，将添补金属互连件耦合到ETS金属化层中的嵌入式金属迹线。
因此，增加了耦合到管芯的旗子暗记/接地旗子暗记路径的ETS金属化层的嵌入式金属迹线的金属表面积。
增加耦合到管芯的旗子暗记/接地旗子暗记路径的嵌入式金属迹线的金属表面积会增加此类旗子暗记/接地旗子暗记路径的电容。
增加旗子暗记/接地旗子暗记路径的电容会减小该旗子暗记/接地旗子暗记路径的阻抗，以缓解或减少信令延迟和/或损耗。

本文源自金融界