详解集成电路场振荡器_基极_电压

图5-53 TA7609AP内部电路中的场振荡器、场频调度等电路

(1)对C405充电过程剖析。
直流+12V事情电压通过RP55、R406对C405充电。
充电开始时，C405(集成电路的⑩脚)上的电压较低，该电压经内部电路中的R2加到VT3基极。
因这一电压较低，VT3截止，其集电极上的高电位加到VT1基极，使VT1截止，VT1发射极上的高电平经R1加到了VT7基极，使VT7截止，VT7集电极为低电位，即此时场振荡器输出电压Uo为低电平。

VT7集电极上的低电平经R8和R10加到VT9基极，使VT9截止。
在VT9截止期间，R6和VT9这一岔路支路对C405的充电无影响。

随着对C405充电的进行，VT3基极上的电压上升(C405上充电电压极性为上正下负)，当VT3的基极电压上升到一定程度后，VT3由截止转为导通，其集电极电压低落，使VT1的基极电压低落，VT1导通，其发射极电压为低电位，该电压经R1加到VT7基极，使VT7导通，其集电极输出高电平，即场振荡器此时输出高电平，见图5-53中波形。

(2)C405放电过程剖析。
在VT7导通后，其集电极输出的高电平经R8和R10加到VT9基极，使VT9由截止状态转为饱和导通状态。
VT9集电极与发射极之间内阻很小。
这时电容C405上的充电电压通过集成电路的⑩脚、R6和导通的VT9集电极与发射极之间的内阻放电。
图5-54所示是C405放电电流回路示意图，因这一放电电流回路的韶光常数很小，放电很快完成。

图5-54 C405 放电电流回路示意图

C405的放电使VT3基极电压低落，当VT3的基极电压低落到一定程度后，VT3从导通状态转为截止状态，直流+12V电压再次开始对电容C405进行充电，场振荡器进入第二个周期的振荡过程。

电容C405充电期间为场扫描的正程，C405放电期间为场扫描的逆程。

场同步旗子暗记从集成电路的12脚输入，由R7加到VT8基极。
当正尖脉冲场同步旗子暗记涌现时，VT8导通，VT8集电极为低电平，其集电极上的低电平经R9加到VT6基极，使VT6截止。

VT6截止后，集成电路内部电路中的直流事情电压+V经R3和R5分压后的电压，由R4加到VT4基极，使VT4导通。

集成电路内部电路中，VT3和VT4构成差分电路。
由于VT4导通，VT3电流减小，使VT3提前由导通转为截止，VT3截止后其集电极变为高电平，导致VT1截止，使VT7截止，又使VT9截止，C405放电提前结束而进入第二个周期的振荡，这样场振荡器的振荡周期缩短。
场振荡器的振荡频率升高，强制场振荡器的振荡频率即是12脚输入的场同步旗子暗记的频率，实现场同步。

主要提示

从上述场同步剖析过程可知，为了能够使场同步旗子暗记对场振荡器的振荡进行同步，哀求场振荡器的自由振荡周期(不加场同步旗子暗记时的振荡周期)略大于场周期，也便是场频略低，场同步旗子暗记才能实现对场振荡器的同步掌握。

集成电路外部电路中，RP55为场频调度电阻，它串在电容C405的充电电流回路中，改变RP55的阻值大小，可以改变充电电流回路的韶光常数，即可以改变对电容C405充电的快慢。

RP55阻值调度到较小时，C405充电电流回路韶光常数小，这样对C405的充电快，使VT3基极电压很快达到了导通值，场扫描正程结束，场频高。

RP55阻值较大时，对C405的充电慢，须要更永劫光才能使VT3基极电压达到导通值，这样场扫描正程韶光加长，场频变低。

图5-55所示是场频调度事理示意图。
RP55阻值小，C405充电电流回路的韶光常数τ小，振荡周期短，场频高;反之，充电电流回路的韶光常数τ大，振荡周期长，场频低。
通过调度RP55的阻值，可以对场振荡器的振荡频率进行调度。

图5-55 场频调度事理示意图

调节RP55阻值，使场振荡频率略低于50Hz，以使场同步旗子暗记能够对场振荡器进行同步。
利用中，调度场同步时便是让场振荡器的振荡频率略低于场频，以进入可同步的频率范围内。