台积电正式公布 2nm 制程：功耗降低 30%估量 2025 年量产_晶体管_积电

台积电首先先容了 N3 的 FINFLEX，包括具有以下特性的 3-2 FIN、2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置：

3-2 FIN – 最快的时钟频率和最高的性能知足最苛刻的打算需求

2-2 FIN – Efficient Performance，性能、功率效率和密度之间的良好平衡

2-1 FIN – 超高能效、最低功耗、最低泄露和最高密度

台积电称 FINFLEX 扩展了 3nm 系列半导体技能的产品性能、功率效率和密度范围，许可芯片设计职员利用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项。

而在 N2 方面，台积电称这是其第一个利用环抱栅极晶体管 (GAAFET) 的节点，而非现在的 FinFET（鳍式场效应晶体管）。
新的制造工艺将供应全面的性能和功率上风。
在相同功耗下，N2 比 N3 速率快 10~15%；相同速率下，功耗降落 25~30%。
不过，与 N3E 比较，N2 仅将芯片密度提高了 1.1 倍旁边。

N2 工艺带来了两项主要的创新：纳米片晶体管（台积电称之为 GAAFET）和 backside power rail。
GAA 纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减少了泄露；此外，它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，也可以缩小以最大限度地降落功耗和本钱。
为了给这些纳米片晶体管供应足够的功率，台积电的 N2 利用 backside power rail，台积电认为这是在 back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳办理方案之一。

IT之家理解到，台积电将 N2 工艺定位于各种移动 SoC、高性能 CPU 和 GPU。
详细表现如何，还须要等到后续测试出炉才能得知。