Q：Cree公司生产红光LED芯片吗？
A ：Cree公司一贯以来都没有生产红光LED芯片，只有蓝光、绿光和紫外光LED芯片。
CREE LED灯珠
Q：Cree的芯片都是碳化硅（SiC）材料为衬底的吗？
A：目前Cree公司的小功率LED芯片都是采取碳化硅（SiC）材料为衬底的，而EZBright系列LED芯片则采取Si衬底构造。Cree公司是天下上少有采取碳化硅（SiC）材料为衬底生产蓝光、绿光和紫外光LED芯片的公司。
Q：Cree有没有双电极构造的芯片?
A： Cree公司有推出采取碳化硅（SiC）材料为衬底的双电极构造芯片(ETC系列)，型号有TR260、TR2432、TR2436等，以绝缘胶固晶为主，详情请参考Cree的产品规格书。
Q：Cree的芯片抗静电能力（ESD）如何?
A：Cree公司的所有采取碳化硅材料为衬底的LED系列芯片的抗静电能力都大于1000V（HBM），并且是百分之百测试。
Q： LED芯片静电击穿征象能够通过低倍显微镜不雅观察到吗？
A：常日比较严重的静电击穿可以通过低倍显微镜不雅观察到在芯片表面有玄色小孔。
而轻微的静电击穿则须要通过高倍显微镜或SEM才可以确定
Q：Cree公司的LED芯片在固晶时对银浆量有何哀求？银浆过多或过少会产生什么样的结果？
A：Cree公司建议固晶时银浆量以芯片高度的1/3处为宜，最多不得超过1/2芯片高度，且芯片四周均有银浆包围。
银浆过多，会遮挡芯片侧面出光，导致成品亮度降落，若银浆溢出到芯片表面还可能引起短路征象，甚 至去世灯。
银浆过少，可能会导致打仗不良，成品灯VF值升高或去世灯等征象，其余银浆变质也可能导致上述问题的涌现。
Q：Cree公司的LED芯片亮度常日用mw表示，叨教mw和mcd之间如何换算？
A：Cree芯片的亮度一样平常用辐射功率RF（Radiant Flux）表示，单位是mw。它表示一个光源单位韶光里发出的光能量，与客户的丈量设备系统干系。而坎德拉（cd）是指单位立体角内的光通量，和封装的形状（透镜形状）有着很大的关系。两者的定义和丈量方法都不相同, 因此mw和mcd之间无法换算。
Q：为何20mA分选的芯片，在5mA的电流下利用会涌现亮度和颜色不均征象？
A：造成这种征象有以下几种缘故原由：
1、 LED芯片的亮度和波长均会随电流的变革而变革，且变革是非线性的；对付绿光而言，其波长漂移幅度比蓝光的更大。
2、 LED芯片是在20mA恒流条件下分选的，若在恒压源下并联事情时，由于每个芯片的VF值不同引起电流分配不均，导致波长和亮度涌现较大差异。
关于亮度、波长和电流关系的变革曲线请参考Cree的产品规格书。
Q：芯片中央光轴与支架几何中央没有对准会产生什么影响？
A：这种情形下，对成品而言会涌现光强不一致，辐射功率降落，发光不对称等征象。请参考下图：
Q：金球偏离焊盘，会对产品造成什么影响？
A：金球偏出焊盘有可能会导致VF值升高及泄电产生，特殊是双电极芯片的负电极度，焊线哀求更加严格，详细请参考下图：
Q：支架杯内壁被污染，对产品有何影响？
A：若支架内壁有污染物，将会影响成品亮度，严重会影响固晶质量，涌现其他非常问题，因此固晶前和固晶后务必担保支架内壁的清洁。
