虽然硅（Si）在集成电路芯片制造上目前无法被替代，但经由了这么多年的发展，每一个成熟的半导体材料自己都可以带动一个行业的发展，那么目前行业里有哪些半导体材料呢？
第一代半导体：
业界将半导体材料进行过分类，前面提到的硅（Si）和锗(Ge)是第一代半导体材料。
硅（Si）：前面提到的硅（Si）是目前运用最广泛的半导体材料，集成电路基本都是由硅（Si）制造。硅（Si）被大家广为熟知是由于它是CPU的材料，英特尔和AMD的处理器都是基于硅（Si）所打造的，当然除了CPU，GPU芯、存储闪存也都是硅（Si）的天下。
锗（Ge）：锗（Ge）是早期晶体管的材料，可以说正是硅（Si）涌现之后锗（Ge）才走向了没落，不过也只是锗（Ge）并没有被硅（Si）完备取代，作为主要的半导体材料之一，锗（Ge）依旧生动在一些光纤、太阳能电池等通道领域。
第一代半导体材料的不管是技能开拓还是还是本钱把握都最为成熟，以是纵然后面的第二、第三代半导体材料在某些特性表现方面完备超越了硅（Si），却也没有办法商用取代硅（Si）的代价，无法带来硅（Si）这样的高收益才是关键。
第二代半导体：
第二代半导体材料与第一代半导体有实质的不同，第一代半导体的硅（Si）和锗（Ge）属于单质半导体，也便是由单一物质构成。而第二代属于化合物半导体材料，由两种或两种以上元素合成而来，并且拥有半导体特性，第二代半导体常见的是砷化镓（GaAs）和磷化铟 (InP)。
砷化镓（GaAs）：砷化镓（GaAs）是第二代半导体材料的标志性产物之一，我们常常听说的的LED发光二极管，就有砷化镓（GaAs）参与。
砷化镓（GaAs）
磷化铟 (InP)：磷化铟 (InP)由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制作，特点是耐高温、高频率和高速率，因此在通讯行业被广泛运用，用于制作通信器件。
第二代半导体可以说是4G时期的基盘，很多4G设备利用的材料都是基于第二代半导体材料打造。
第三代半导体：
第三代半导体同样属于化合物半导体材料，特点是高禁带宽度、高功率和高频以及高电压等，代表产品是，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。
碳化硅（SiC）：碳化硅（SiC）的特性有耐高温、耐高压，非常适宜是做功率器件开关，这样多主板上高端MOSFET便是由碳化硅（SiC）制作的。
MOSFET
氮化镓（GaN）：氮化镓（GaN）碳化硅（SiC）一样都是高禁带宽度半导体，特性是能耗低、适宜高频率，适宜打造5G基站，唯一的缺陷便是技能本钱过高，很难在商用领域看到。
目前海内比较盛行推广第三代半导体的发展，缘故原由是国内外出发点差距小，还有竞争的机会。
把稳事变：
虽然这些半导体材料被认为划分到为第一代、第二代，听起来也像是迭代的产品，但实在这些第一代、第二代、第三代半导体材料并不是替代关系，它们的特性不同，运用的场景也不一样，一二三代只是行业一种区分标识，只是根据材料进行了划分，有些场景化乃至会同时运用在一起。
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