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据悉,富能功率半导体项目方案总占地面积630亩,共分三期培植。本次投产的八英寸厂为项目一期,2019年开工培植,2020年12月尾首条产线培植完毕,2021年1月27日实现产品下线。富能功率半导体项目生产的各种晶体管产品,可广泛运用于消费电子、新能源装备和汽车电子等领域。项目第一期一阶段投产后将有望达到年产36万片8寸硅基功率器件(MOSFETSuperJunctionIGBT)和1万片6寸碳化硅功率器件(SICMOSFET)的生产能力。
(大众日报客户端 王健 宣布)

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