IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor），是由BJT(Bipolar Junction Transistor双极结型晶体三极管)和MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor绝缘栅型场效应管，也称金属氧化物半导体场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其具有自关断的特色。特点是可以利用电压掌握，耐压高，饱和压降小，切换速率快，节能等特点。
IGBT封装构造
IGBT的封装构造紧张由IGBT芯片，DBC导热基板，封装材料，电连接端子等组成，芯片紧张为Si，SiC，GaN等，
IGBT运用领域
从功能上来说，IGBT是一个可以利用打算机掌握的电路开关，被广泛利用在了高铁、轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域运用极广。
散热问题影响产品性能
随着功率电子器件正向高密度化，大功率，小型化发展，大规模利用电子器件给我们的生活带来便利的同时，越来越高功率使得电子器件的散热问题愈发严重。因此散热是一项非常关键的技能，散热性能的好坏直接影响着产品的性能和寿命。
传统单面冷却散热不敷
传统的功率模块采取单面冷却构造，紧张包括功率芯片、键合线、功率端子、外框、绝缘基板(DBC)、底板以及内部的灌封胶等，将底板固定在冷却器表面，功率芯片损耗产生的热量通过绝缘基板、底板单方向传导至散热器。
这种办法虽然能够办理一定的散热需求，但并不能办理一些大热量的散热需求。因采取单面散热方案，传热通道有限，热阻较大，造成芯片与散热面的温差大，在长期利用过程中，芯片随意马虎因温度过高而烧毁。
双面冷却散热上风
一些小尺寸高功率的部件不能利用传统的单面冷却构造知足其散热需求，近几年对功率模块双面冷却构造的研究也越来越多。和单面构造散热构造比较，双面冷却构造在功率芯片的两侧均焊接有绝缘导热基板，功率端子全部与绝缘导热基板相连，绝缘导热基板的外侧安装有散热器。这种构造的优点是可以减小功率模块的热阻，同时可以减小体积及质量，而且由于构造的改进使得可靠性也得到了提升。
叠层双面冷却散热
在增强功率模块散热性能的同时，进一步优化封装构造，达到增强散热的目的，设计了一款基于叠层功率芯片的双面冷却封装构造。为了只管即便减小换流回路的面积，通过将上端芯片与下端芯片叠层设置，充分减小换流回路的路径及面积，从而在增强冷却性能的同时，减小散热构造体积。
双面冷却散热构造的体积缩小，冷却性能增强，构造体积较传统减小约90%，热阻降落约50%。同时匹配双面冷却封装形式可大幅度降落功率电子器件的事情结温，从而提高功率器件的功率输出和利用寿命。因此，双面冷却技能可推动功率电子模块向集成度更高，封装体积更小以及功率密度更大的方向发展。
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