近期，就有一家存储芯片“新锐势力”即将上岸A股。12月6日，东芯股份表露科创板上市发行结果，这次发行价格为30.18元/股，发行数量为1.1056亿股。值得一提的是，集成电路大基金二期、上汽集团获配329.70万股，获配金额为9950.25万元。
与兆易创新类似，东芯股份业务横跨三大紧张存储芯片——NAND Flash、NOR Flash以及DRAM，同时两家公司均主攻中小容量存储芯片市场。兆易创新“珠玉在前”，又有大基金二期、上汽集团加持，东芯股份上岸科创板后的市场表现值得期待。
供应完全存储办理方案
近期，大量芯片公司上岸科创板，但大多集中在仿照芯片领域，而存储芯片领域上市公司少之又少。
存储芯片是运用面较广、市场比例较高的集成电路根本性产品之一，而海内如东芯股份这般供应完全存储办理方案的企业，则更为罕有。据悉，目前主流存储芯片紧张为闪存与内存，闪存紧张是NAND Flash、NOR Flash，内存便是DRAM。
NAND Flash可以分为SLC、MLC、TLC、QLC，个中中小容量紧张利用SLC NAND，大容量SSD等产品紧张利用MLC NAND、TLC NAND。东芯股份主攻中小容量市场，NAND Flash领域紧张产品便是SLC NAND。其他两个存储芯片，也分别主攻中小容量NOR Flash以及利基型DRAM。
2021年1~6月，东芯股份NAND、NOR和DRAM产品营收分别为2.33亿元、8547.02万元和3127.35万元，营收占比分别为51.32%、18.80%和6.88%。东芯股份表示：“凭借强大的研发设计能力和自主清晰的知识产权，公司搭建了稳定可靠的供应链体系，设计研发的24nm NAND、48nm NOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程，已达到可量产水平，实现了海内存储芯片的技能打破。”
而根据兆易创新2020年年报，其表示2021年公司NOR Flash产品将基于55nm工艺节点开展项目研发，丰富和完善公司的产品系列。同时，24nm将成为公司SLC NAND紧张工艺节点之一。可以看出，不管是NOR Flash还是SLC NAND，东芯股份在工艺制程方面均不逊色于兆易创新。
目前，海内存储芯片市场需求巨大，但自给率仍旧较低。根据天下半导体贸易统计协会数据，2018年我国存储芯片市场规模为5775亿元，同比增长34.18%，估量2023年海内存储芯片市场规模将达6492亿元，未来发展空间广阔。然而中国存储芯片的自给率仅15.70%，比整体集成电路的自给率更低，令中国存储芯片自主可控的需求更为急迫。
中小容量存储市场：巨子离场，增长迅速
从技能角度看，NAND Flash已经进入3D NAND时期，主流DRAM厂商制程已经来打1Znm。比较之下，东芯股份与国际龙头仍存在差距。
不过，东芯股份并非在PC、手机、做事器等主流存储市场与国际龙头竞争，而是主攻中小容量市场。近年来，三星、SK海力士、镁光等厂商陆续从中小容量存储市场离场，将产能转向DRAM、NAND Flash以及高毛利的大容量NOR Flash市场。
巨子离场留下的市场空间，也造诣了兆易创新、华邦电子等二线存储厂商。对付东芯股份来说，同样存在着广阔的发展空间。特殊是随着国产化需求的不断提高，海内企业将迎来良好的发展契机。
巨子的离场并不虞味着中小容量市场是个“鸡肋”。与之相反，5G、物联网以及汽车电子已成为推动中小容量市场发展的主要驱动力量。比如5G通讯设备、物联网都须要高速且稳定可靠的存储芯片作为各种数据站点。5G宏基站为例，其支配环境繁芜恶劣，且须要全天候事情，中小容量SLC NAND在性能稳定性上具有明显的上风。
而在火热的汽车电子赛道，中小容量NAND也将迎来大发展。这是由于在汽车系统中，从前辈驾驶赞助系统到完备自动驾驶，繁芜的汽车运用将更须要高容量的闪存，这对设计者而言，本钱的考虑变得相对主要许多。比较之下，NAND Flash比较NOR Flash单位本钱具有上风，能够为较大容量车规闪存供应良好的办理方案。
根据Gartner的数据显示，2019年环球ADAS中的NAND Flash存储消费2.2亿GB，同比增长300%。由于智能汽车领域的快速发展，估量至2024年，环球ADAS领域的NAND Flash存储消费将达41.5亿GB，2019~2024年复合增速达79.8%。
下贱客户方面，东芯股份NAND Flash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高档特点，被广泛运用于通讯设备、安防监控、可穿着设备及移动终端等领域，得到了联发科、瑞芯微、复兴微、博通等行业内主流平台厂商的验证认可，被紧张运用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智好手环等终端产品。利用公司产品的终端有名客户包括复兴通讯、烽火通信、海康威视、大华股份、创维数字、航天信息等。
东芯股份表示：“公司NAND Flash产品核心技能上风明显，公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃到105℃的极度环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。”
未来，东芯股份将进一步发展车规级闪存芯片。其表示：“在知足客户工业级运用需求的根本上，将产品可靠性标准逐步向车规级推进，以顺应汽车家当在智能网联功能的布局，大力发展可靠性哀求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的国产替代目标。”
利基型DRAM方面，目前市场也处于供不应求的田地。根据国金证券研报，由于数位电视、机上盒、Wi-Fi 5/6、安防、路由器、Modem、AIOT、白色家电、工业IPC对小容量DRAM内存的需求稳定增长，加上SK海力士将干系产能转移生产CMOS传感器，从而退出中低容量分外利基型DRAM供应链等，DDR2 512Mb/1Gb、DDR3 1、2Gb DRAM等中低容量分外利基型DRAM需求超过供给。
而东芯股份DRAM产品正是DDR3和LPDDR2，其专注于中小容量DRAM产品，紧张运用于利基型市场，终端产品包括数字机顶盒、PON等通讯设备及功能手机、行车记录仪等移动终端等运用。
行业壁垒：技能+成本
可以看出，东芯股份紧张供应中小容量存储，包括SLC NAND、NOR Flash以及利基型DRAM，而这些领域有较大市场潜力。
然而，存储芯片行业兼具成本密集型和技能密集型，技能和成本决定了一个公司的成败。目前，东芯股份拥有国内外发明专利82项，集成电路专业布图设计所有权34项，先后得到“第七届中国电子信息展览会创新奖”“2020年度中国IC设计造诣奖之年度最佳存储器”“2019年度上海市‘专精特新’中小企业”等名誉称号。
东芯股份表示：“自成立以来，公司高度重视研发投入与技能创新，致力于实现本土存储芯片的技能打破。公司研发团队通过多年在存储芯片设计领域积累的大量技能履历，基于自有知识产权和研发设计体系，自主开拓了NAND、NOR、DRAM等主流存储芯片，凭借高可靠性、低功耗等特点，多款代表公司前辈技能水平的核心产品通过国内外多家有名企业的认证。”
SLC NAND领域，2020年华邦电子、旺宏电子、兆易创新制程分别为32nm、19nm和24nm，东芯股份为24nm；NOR Flash方面，华邦电子、旺宏电子、兆易创新、普冉股份分别为58nm、55nm、55nm和40nm，东芯股份为48nm。
内存方面，华邦电子DDR制程为25nm，东芯股份旗下公司Fidelix同样是25nm；华邦电子LPDDR为25nm，东芯股份旗下Fidelix则为38nm。
中小容量市场在巨子离场后，二线厂商迎来发展机遇。供给端巨子离场，需求端又迎来物联网、5G和汽车电子发展红利。而唯有握住核心技能，方能把握供给端、需求端带来的机遇。比拟中小容量存储领域竞争对手可以创造，东芯股份在制程方面基本不弱于同行。尤为名贵的是，东芯股份在SLC NAND、NOR Flash、利基型DDR、利基型LPDDR这四大类产品均有布局。叠加国产替代大潮，东芯股份四大产品后续或将持续高速增长。文/程翔
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