这种忽略我们可以举例来解释一下，工程商或者集成商在选择小间距产品的时候，我们只是关心灯珠品牌是国星、晶台还是亿光、宏齐等等，却很少关心封装用的芯片是华灿、士兰还是晶元、三安。而这种情形，往前倒推一两年是完备不敢想象的。虽然小间距的涌现，给LED封装厂的进入，在工艺、设备、管理把控等等都树立了较高的门槛，但不可否认的是在全体小间距LED系统中，LED芯片的质量与性能与其高稳定可靠性、低亮高灰高刷等各项特性息息相关，是决定了LED小间距优秀与否的基因。
LED芯片的性能与小间距的以下品质息息相关：
低亮高灰
低亮高灰是小间距LED进入室内显示的首道门槛。对小间距产品而言，LED显示屏的较劲将不再是比较谁家亮度高，而是比较谁家亮度低。比的是谁家的显示屏可以做到降落亮度的同时不丢失灰度与画质。实现低亮高灰，小间距LED除了利用高性能的驱动IC之外，与LED芯片至关主要。
为保护人眼，确保良好的显示效果，小间距LED显示屏对单位面积的总亮度有明确的哀求，位面积芯片数量的增加，意味着单颗LED芯片的亮度须要同比例降落。LED 显示屏整体亮度一样平常通过调度LED芯片的驱动电流实现，在一些小间距LED的利用环境中，LED 芯片的正向电流已经降落到1mA乃至0.5mA 以下。这就哀求小电流事情下，RGB三色芯片的亮度、波长有较好的同等性，还哀求对事情电流进行调度时，RGB三色芯片的亮度、波长的变革特性也要基本保持同等，否则就会涌现花屏。
LED芯片小电流的利用条件各种显示问题汇合中爆发
由于RGB三种颜色芯片的外延材料和组份有较大差异，本身材料的晶体质量和物理特性就有差异，要实现小电流的同等性，须要在三种芯片的外延方面进行较好的匹配和调度，从而担保低亮度下的高灰阶。低亮高灰，是小间距LED对芯片提出第一个哀求，常规芯片无法实现小电流的同等性就无法实现低亮度下的高灰阶。
高刷新
小间距LED显示屏，由于面对一些摄像和拍摄的需求，哀求有比较常规显示屏更高的刷新率。刷新频率越高，对芯片在高频脉冲电流下耐受性的哀求越高。而对现有普通芯片做的屏而言，刷新率更高往后会涌现各种显示不一致的非常。应对高刷新，不仅须要LED芯片有尽可能短的相应韶光，还须要开启电容有较高的同等性，以及快速并且一贯的关灭韶光。
上图这两块单元板，左边是用小电容开启同等性的芯片，右边是普通芯片，两者的封装和分光条件是一样的，单元板制造的条件也是一样的。可以看到在只有芯片不一样的情形下，当把电流降到零点几个毫安，也便是现在展示的这个效果，两种芯片的显示差异是比较大的。
严苛的去世灯率
传统LED显示屏的行业标准是LED去世灯率在万分之一，但小间距LED显示灯珠芯密度大，按照传统标准，如果一万个就有1个去世灯就没法看了。未来去世灯率须要掌握到十万分之一乃至是百万分之一才能知足长期利用的需求。否则，用了一段韶光，去世灯布满全体屏幕，用户是无法接管的。十万分之一乃至是百万分之一这样严苛的去世灯率，对LED 芯片厂的质量把控体系提出了更高哀求。
这里有必要先容两个芯片领域常用的评价指标，一个是ESD，Electro-Static discharge，意思是“静电开释”，指芯片在静电冲击下而不破坏的能力。由于LED芯片在小间距LED的利用数量成几何倍数的增长，为了达到十万分之一乃至是百万分之一这样严苛的去世灯率，所有芯片必须通过ESD 2000v的全测，才能最大限度的担保每一颗都不会被静电击穿。另一个是IR，Reverse Leak Current，意思是“反向泄电流”，LED芯片泄电流越小，代表其可靠性越高，可利用的寿命越长，越不随意马虎去世灯。目前这一参数在业内的最高标准是小于0.05uA@-12V，仅有少数芯片厂可以做到，严格实行的就更少了。
除了上述几点之外，宽视角所哀求的更大的出光角度，高扫高刷下的耐反压，以及对高温高湿环境哀求更高的抗性，都决定了常规芯片已经无法知足小间距LED的性能及品质哀求。应对这一需求，2014年已经有芯片厂推出了小间距专用的LED芯片。经由一年多韶光的市场推广，以及工艺研发投入的摊薄和研发功率的提升，小间距专用LED芯片的性价比有了大幅度的提升，在封装企业得到了较广泛的运用。广大工程商和集成商在详细项目的选型中，可以进行比拟选择。
