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ADHV4702增大输出电流后涌现烧芯片
问
想把运放 ADHV4702 的输出电流增大到100mA，采取VP2540 和 VN2540 两个 MOS 管，按照 datasheet 上的图设计电路。仿真看不到问题。但是，在实验中，ADHV4702 大概输出电流 50mA 超过1分钟就会烧芯片。已经烧了6pcs了，求帮忙。
答
你的R6太大了，改为39k试一试看。其余MOS的栅极须要电阻驱动，MOS同时须要增加过流保护，按照以下的电路修正再调试一下。
问
非常感谢您的建议！
我立时安排采购器件做实验。其余，对付上面的电路图，可以改成V-端输入，V+端接地么？
答
你是想改成反相放大器构造吧？如果是改成反相放大器构造肯定也是没有问题的。
TOP-1_BoostCurrent_ADHV4702+MOS_PN100V_Tran-Sim.asc （点击“阅读原文”，前往原贴下载）
问
按照您的电路图，功能仿真不对。是不是我哪个地方弄错了？
答
你的PMOS 方向反了，IRF9640的S极链接R3。其余如果要连续做板的话，建议你在运放的同相端和反相端之间加两个BAV199做保护。你可以把你的详细需求见告，我可以帮你连续优化一下电路。但我想理解你这个电路运用处景是什么？
问
嗯，实际电路中加了BAV199做保护，实际电路便是做一个正负10V正弦输入，输出正负100V驱动2k欧+6.8mH串联的负载，驱动电流最大100mA。
答
你的带宽哀求多少？
问
1kHZ就可以。其余一个问题，刚才我把R6换成39k. 情形是好了很多，但是，在输出50V以上时，仍旧觉得芯片的温度很烫。我想请教一下，芯片烧毁的事理是啥？是由于MOS管的大电流利过R6反馈到芯片输出端？
答
ADHV4702自身承载的功率过高所致，MOSFET的栅极须要比输出赶过4V以上的阈值电压才能事情，以是R6上的压降会在4V旁边，乃至更高。这样你就知道了ADHV4702的输出电流，即 4V/R6, 如果这个电流过高，乘以电源电压与输出电压的压差，基本就知道加载在放大器上的功耗了。
高压的供电的放大器都会比较热，这个是不可避免的，静态功耗的电流乘以供电电压便是这个放大器的静态功耗。肯定比一样平常的放大器要高。
最好要加散热器。ADHV4702肚子下面的PAD紧张便是用于散热的，该当尽可能的连接更大的铜皮用于散热。
如果是1kHz，你可以将C1改为100pF~470pF之间就可以知足你须要的带宽，须要把稳的是C1的耐亚最好是实际承载电压的2倍。比如你目前的输出是+/-100V, 这个电容的耐压最好选择200V。
问
上述电路在0V输出附近有这么一个奇变，这个该当是MOS管引起的。如果不提高输出电流的话，没有这个征象。麻烦问一下，这个问题该怎么办理？
答
我以为这个可能是你导入缺点的SPICE模型导致的问题，你的目标是要输出正弦旗子暗记么？从事理上说这个电路通过负反馈实现正弦旗子暗记是没有问题的。你可能须要用实际电路测试下来看是否有问题。
其余把原电路中 R10（Rsense）去掉，那个电阻我是用来采样电流的，在你的实际电路中没故意义，这个电路的输出直接挂接你的实际负载即可。
问
目标旗子暗记是随机的，是不是MOS管在输出小电流的时候引起的？上升段和低落段都有这个问题。
答
是的，由于当电流很小的时候，ADHV4702输出的电流流过39k那个电阻无法产生超过4V的阈值电压，这样MOSFET无法导通，使得在微电流的时候MOSFET处于截至状态。这个电路的问题存在于MOSFET并不是一贯处于导通状态。
问
但是，ADHV4702本身具有10ma的输出能力，在小电流的时候，MOS是否事情无所谓吧？创造把39k减小就没事，是ADHV4702的驱动能力不足？
仿真结果看，把39k换成10k，失落真险些不可见。麻烦您看看，10k是否不会导致芯片烧毁，在输出100V的时候。
答
我以为这个是跟模型干系，未必是真实的情形，10k电阻事理上是不会导致芯片烧毁的，终极电路参考下图：
阶跃相应的输出旗子暗记和R6上的瞬态电流情形参考下图：
我以为你须要终极搭建电路实际测试一下，看终极效果。
温馨提示：提问须要问题清晰，目的明确；涉及到的产品、型号完全；对问题所在时的测试环境等描述清楚、详细，并附上事理图。这样工程师才能准确的帮助到您哦~
