先大略先容一下，存储芯片紧张分成闪存和内存两种类型，也便是NAND和DRAM，个中NAND闪存基本上被美日韩企业垄断，例如美光、英特尔、闪迪、东芝、三星、SK海力士，个中三星+SK海力士占了环球45%旁边的市场份额，DRAM内存紧张被三星、SK海力士和美光主导者，个中三星+SK海力士占了环球70%旁边份额。
以是对付我国来说，存储芯片也有被卡脖子的风险。不过好在最近几年，国产存储芯片企业一贯在努力，例如长江存储主攻NAND闪存，长鑫存储主攻DRAM内存。这2家都是我国有名的存储芯片企业。不过，本日的视频我们要说的是另一个后起之秀，兆易创新。
兆易创新在6月3日宣告，其首款自有品牌4Gb DDR4产品已经量产，并实现从设计、流片，到封测、验证的全面国产化。
看到这，有人会说，国产DDR4内存不新鲜啊，的确，国产DDR4内存早在2020年5月就有了，也便是采取长鑫存储国产颗粒的光威弈系列Pro DDR4内存，频率3000MHz，电压1.35V，采取1X nm级别工艺制造。据硬件发热友表示，这条内存超频性能极佳，可以轻松达到4000Mhz的频率，这也证明了国产内存颗粒的性能已经达到的很高的水平。
那么兆易创新这款DDR4内存的特点是什么呢？先抛开性能不谈，我们只说一句，全面国产化便是它最引以为豪的。也便是说，兆易创新实现了DDR4内存的全套流程国产化，关心半导体的小伙伴一定明白，这件事儿的意义有重大。
至于生产环节，我们先要解释的是，目前兆易创新采取Fabless（筏波来丝）模式，自己只设计芯片，不生产，那么之前是由中芯国际，这次的DDR4产品暂未表露代工企业，不过肯定也是海内企业。
兆易创新这款DDR4内存采取的是19nm工艺，操持年底实现17nm。那么这个制程跟前面提到的那些国外企业比较又如何呢？
首先我们要理解一个知识，在内存领域，各个厂家不直接说多少纳米工艺，而是用1Xnm、1Ynm、1Znm、1αnm、1βnm、1γnm来替代。举个例子，19nm便是1Xnm，1αnm便是14nm，以是长鑫存储去年推出的1Xnm的ddr4内存，采取的是19nm工艺。三星、美光目前普遍采取1αnm工艺，也便是14nm工艺，以是，我们跟他们的差距并不大。
其余还有一个好是，在苹果公布的供应链名单中，兆易创新也成功入围，代替了来自我国台湾的华邦电子，成为苹果AirPods唯一的NorFlash供应商。可见实在力，同时也预示着兆易创将会迎来持续发展。
目前，我国dram内存颗粒的自给率还不高，紧张由于产能的关系，但也无需担心，由于在工艺上的差距不大，并且我们已经可以办理国产化问题，那么根据我们中国人的习气，相信用不了多久就可以把产能提升上来，不断提高中国品牌DRAM内存的试产霸占率。例如长鑫存储的总产能方案，将达到环球的20%旁边。
其余，根据IC Insights估量，环球存储芯片市场将会迎来持续4年的高速发展阶段，2020-2025年复合增长率将达到10.6％。2021年，DRAM内存和NAND闪存将会是年增长最快的两个细分领域。个中，DRAM Flash Q2报价涨幅已进入整年峰值，从4月至6月累计涨幅将达到20~25%。同时，预估Q3 NAND Flash条约市场价涨幅将很有可能超过DRAM。
以是面对这样一个强有力的市场，海内厂商该当再加一把劲了，捉住机遇，借力快速发展，早日冲破日美韩同类企业的主导地位，彻底实现NAND闪存和DRAM内存不再受制于人。那么我相信，这一天一定会很快到来。
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以是面对这样一个强有力的市场，海内厂商该当再加一把劲了，捉住机遇，借力快速发展，早日冲破日美韩同类企业的主导地位，彻底实现NAND闪存和DRAM内存不再受制于人。那么我相信，这一天一定会很快到来。
