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失落效剖析的意义
详细而言，失落效剖析紧张表示于以下于以下几个方面：
1. 失落效剖析是用来确定芯片失落效机理的一种必要手段。
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2. 失落效剖析能够给故障诊断供应必要的信息。
3. 失落效剖析在能够给设计工程是在产品不断改进和修复的过程当中供应有利帮助，使之更为贴近设计规范。
失落效剖析紧张步骤和内容
1.芯片开封： 去除IC封胶，同时担保芯片功能的完全无损，使die、bond pads、bond wires以及lead-frame保持不受到损伤，为下一步芯片的失落效剖析实验做准备。
2.SEM扫描电镜/EDX身分剖析：包括材料构造剖析/毛病不雅观察、元素组成常规微区剖析、精确丈量元器件尺寸等等。
3.探针测试：用微探针方便快捷的获取到IC内部的电旗子暗记。镭射切割：用微激光束割断线路或者芯片的上层特定区域。
4.X射线无损侦测:集成电路封装中的各种毛病如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完全性进行检测。在制作PCB的过程中，可能会处在的毛病，例如对齐不良、桥接、开路、短路或者不正常连接的毛病、封装中的希求完全性都可以进行检测。
5. SAM (SAT)超声波探伤：进行非毁坏性的检测，检测IC封装内部的构造，能够有效的检测出由于水汽或者热力等各种情形造成的毁坏，紧张表示为晶元面脱层、锡球或者晶元填胶中的裂痕、封装材料内部的气孔以及各种空洞如晶元结合面、锡球或填胶等处的孔洞。
总结
失落效剖析对付IC芯片的制作、生产、研发、利用等各个方面都有十分主要的浸染，做好失落效剖析，能够帮助产品优化，研发改进、合理利用，还能够在产品更新迭代上避免不少的问题。
