国产存储芯片发威！内存条价格杀疯了！果链惊现国产3D NAND_芯片_长江

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当然，我们国产存储芯片在DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM等芯片皆有涉足。
并且，国产存储芯片的参与感尤其强烈。

把内存条价格拉下马

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自2020年合肥长鑫存储的DRAM颗粒上市后，一些国产内存条厂商以其高性价比打入市场。

（图片来自网络侵删）

比如早几年，8GB DDR4 2400MHz内存条，采取国外DRAM颗粒，单条的价格都要600元。

而查阅最近的内存条价格，可以看到8G DDR4 2666MHz采取长鑫颗粒的内存条低至150元以下。

图源：长鑫存储

与长鑫存储互助的国产存储产品厂商包括了光威、朗科、金泰克、金百达、七彩虹等等。

虽然说DRAM芯片的价格随行就市，不过长鑫存储若要快速打进市场，以同性能产品但更低价格的策略，是必不可少的。

这也就能够直接拉低内存条的价格，让用户得到实惠。

国产闪存芯片进“果链”

最近长江存储的128层3D NAND打入苹果供应链的被媒体广泛宣布。

称，长存的3D NAND估量最早将于5月开始少量出货。
将运用在iPhone SE上面，同时，苹果今年秋季将推出的iPhone 14系列也有望采取长江存储的闪存芯片。

苹果供应链的采取，无疑是对长江存储3D NAND产品最有力的认可。

图源：长江存储

实在之前，兆易创新的NOR Flash就率前辈入了苹果的供应链，成为苹果AirPods唯一的NOR Flash供应商。

的确，国产存储芯片从无到有，已经是市场上不可忽略的一股力量。

国产存储芯片的市场地位并不低

据此前宣布，在2021年上半年长鑫存储的环球市占已经来到1%，排名第五，长江存储环球市占在2020年下半年达2%。
DRAM、NAND Flash市场国产的占比还非常小，但已经取得打破。

而在Nor Flash方面，国产芯片的市场情形更好一些。
兆易创新在2020年环球NOR Flash市场中市占率达到15.6%，排名第三，仅次于华邦和旺宏。
恒烁半导体2020年NOR Flash 收入占市场规模比例为1.50%。

在NOR Flash市场，不仅有海内排名第一的兆易创新，还有东芯股份、普冉半导体、恒烁、芯天下、武汉新芯等厂商。

如果看最近上市比较积极的存储芯片厂商，有不少都因此NOR Flash为主营业务的。
比如，普冉半导体NOR占比达71%，恒烁NOR占比达86.56%，此外东芯NOR业务有18.8%的占比。

其余，北京君正表示，2020年度公司SRAM、DRAM、Nor Flash产品收入在环球市场等分别位居第二位、第七位、第六位。

EEPROM方面，2020年聚辰股份EEPROM产品份额为海内第一、环球第三的供应商。
海内EEPROM供应商还有上海贝岭、航顺等等。
EEPROM的市场规模虽不大，但是国产化率相对较高。

除了存储芯片企业在上市，我们也看到存储模组厂商的上市进度在加快，江波龙、佰维存储都已准备上市，江波龙已在创业板上会通过，佰维存储科创板上市已受理，据悉时创意也有上市操持。
这些存储模组厂商在海内都是比较靠前的厂商，并且竞争力也不容小觑。

与国际技能水平逐渐靠近

放眼环球的竞争，在NOR Flash方面，此前行业内主流NOR Flash产品的工艺节点为65nm，旺宏48nm量产、华邦46nm量产，兆易创新也从65nm往55nm切换。
2020年以来东芯、武汉新芯、恒烁、博雅等都实现了50nm/48nm的NOR Flash量产。
海内技能水平与国际厂商差距不大，进入50nm时期国产NOR Flash的市场机会更大。

图源：恒烁招股书

3D NAND方面，长江存储的128层3D NAND已经量产，在量产进度上晚于三星、美光两年。
美光在2022年1月宣告开始批量出货业界首款176层QLC NAND SSD。
铠侠将在2022年至2023年期间将162层3D NAND作为其主流制造工艺。

而长江存储的下一代3D NAND据称是192层。
当初从2018年到2020年，长江存储实现了从32层到64层再到128层的技能跃进，也便是说跳过了96层，这样就很快缩短了与国际厂商之间的技能代差。
如今长存128层3D NAND量产大量出货，在192层3D NAND研发上与国际大厂的间隔更靠近。

那么长江存储在技能逐渐同步的时候，同样主要的便是更快速地扩大市场份额。

国产DRAM没有EUV光刻机之痛

根据台媒的宣布，合肥长鑫存储将在今年二季度试产17nm工艺的DDR5内存芯片。
目前合肥长鑫的17nm工艺DDR5内存芯片良率已经达到了40%。

长鑫存储于2018年研发海内首个8Gb DDR4芯片，2019年三季度成功量产19nm工艺的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片。

长鑫存储在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的产能目标。
2022年的产能目标是12万片晶圆/月，与2021年比较实现翻倍。
未来的产能目标是30万片晶圆/月。

长鑫存储未来方案将推出10nm制程的产品。

值得把稳的是，现在，在DRAM芯片的生产上，一些存储芯片大厂陆续启用EUV光刻机。

例如，2021年7月SK海力士宣告，公司第一代利用EUV光刻机生产的DRAM正式量产。

据先容，公司旗下第四代 10 纳米级（1a）制程8Gb LPDDR4 移动设备专用DRAM已经量产。
作为SK海力士旗下首款采取EUV生产的DRAM，与上一代产品比较，新产品可以将使相同尺寸晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加25%，并能将功耗降落20%。