晶振一样平常指晶体振荡器，从一块石英晶体上按一定方位角切下的薄片，简称为晶片，然后在晶片封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一样平常用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
常见晶体晶振实物如下图所示
晶振事情事理
晶振的等效电路：
R是ESR串联等效阻抗，L和C分别是等效电感和电容，Cp为寄生电容。
晶振的电抗频谱线：
当晶振在串联谐振状态下事情时，线路表现为纯阻性，感抗即是容抗（XL=XC），串联谐振频率为：
当晶振在并联谐振状态下事情时，线路表现为纯感性。在这种模式下，事情频率由晶振的负载决定。对付并联谐振状态的晶振，晶振制造商该当指定负载电容CL。在这种模式下，谐振频率：
等效电路还有一个反谐振频率fL（并联谐振频率），此时串联岔路支路呈现为感抗，相称于一个电感，如下图所示：
此时的频率如下图所示：
常日厂家的晶振元件数据手册给出的标称频率不是Fr或FL，实际的晶体元件运用于振荡电路中时，它一样平常还会与负载电容相联接，共同浸染使晶体事情于Fr和FL之间的某个频率，这个频率由振荡电路的相位和有效电抗确定，通过改变电路的电抗条件，就可以在有限的范围内调节晶体频率。
当负载电容与晶体串联时，如下图所示：
串接的小电容CL可以使石英晶体的谐振频率在一个小范围内调度，此时新的负载谐振频率如下式所示：
个中，C1远远小于C0+CL
当负载电容与晶体并联时，如下图所示：
同样，并联的负载CL也可以小范围调度谐振频率，相应的负载谐振频率如下式：
晶体本身是不能产生振荡旗子暗记的，必须借助于相应的外部振荡器电路才能实现，下图是一个串联型振荡器电路，个中，晶体管Q1、Q2构成的两级放大器，石英晶体X1与电容CL构成LC电路。在这个电路中，石英晶体相称于一个电感，CL为可变电容器，调节其容量即可使电路进入谐振状态，输出波形为方波。
并联型振荡器电路如下图所示，一样平常单片机都会有这样的电路。晶振的两个引脚与芯片（如单片机）内部的反相器相连接，再结合外部的匹配电容CL1、CL2、R1、R2，组成一个皮尔斯振荡器（Pierce oscillator）
U1为增益很大的反相放大器，CL1、CL2为匹配电容，是电容三点式电路的分压电容，接地点便是分压点。以接地点即分压点为参考点，输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形成一个正反馈以担保电路持续振荡，它们会轻微影响振荡频率，紧张用与微调频率和波形，并影响幅度。 X1是晶体，相称于三点式里面的电感
R1是反馈电阻（一样平常≥1MΩ），它使反相器在振荡初始时处于线性事情区，R2与匹配电容组成网络，供应180度相移，同时起到限定振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其破坏。
这里涉及到晶振的一个非常主要的参数，即负载电容CL（Load capacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容（不是晶振外接的匹配电容），紧张影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的事情频率，通过调度负载电容，就可以将振荡器的事情频率微调到标称值。
负载电容的公式如下所示：
个中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容（Shunt Capacitance）
CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2
CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1
一样平常CS为1pF旁边，CI与CO一样平常为几个皮法，详细可参考芯片或晶振的数据手册
（这里假设CS=0.8pF，CI=CO=5pF，CPCB=4pF）。
比如规格书上的负载电容值为18pF，则有
则CD=CG=34.4pF，打算出来的匹配电容值CL1=CL2=25pF
有源晶振事理
有源晶振是将所有与无源晶振及干系的振荡电路封装在一个“盒子”里，不必手动精确匹配外围电路，不同的输出频率运用时，只须要采购一个相应频率的“盒子”即可，不再利用繁杂的公式打算来打算去，可以节省很多脑细胞做其它更多意义的事情。
封装后的“盒子”示意图如下所示：
