在机器视觉中紧张采取的两类光电传感芯片分别为 CCD 芯片和 CMOS 芯片，CCD 是 Charge Coupled Device(电 荷耦合器件)的缩写，CMOS 是 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor(互补金属氧化物半导体) 的缩写。无论是 CCD 还是 CMOS，他们的浸染都是通过光电效应将光旗子暗记转换成电旗子暗记（电压/电流），进行存储 以得到图像。CCD 芯片与 CMOS 芯片的紧张参数有： 1. 像元尺寸 像元尺寸指芯片像元阵列上每个像元的实际物理尺寸，常日的尺寸包括 14um,10um, 9um , 7um , 6.45um ,3.75um 等。像元尺寸从某种程度上反响了芯片的对光的相应能力，像元尺寸越大，能够吸收到的光子 数量越多，在同样的光照条件和曝光韶光内产生的电荷数量越多。对付弱光成像而言，像元尺寸是芯片灵敏度的 一种表征。 2. 灵敏度 灵敏度是芯片的主要参数之一，它具有两种物理意义。一种指光器件的光电转换能力，与相应率的意义相 同。即芯片的灵敏度指在一定光谱范围内，单位曝光量的输出旗子暗记电压（电流），单位可以为纳安/勒克斯 nA/Lux、 伏/瓦（V/W）、伏/勒克斯（V/Lux）、伏/流明（V/lm）。另一种是指器件所能传感的对地辐射功率（或照度）， 与探测率的意义相同，。单位可用瓦（W）或勒克斯（Lux）表示。 3. 坏点数 由于受到制造工艺的限定，对付有几百万像素点的传感器而言，所有的像元都是好的情形险些不太可能， 坏点数是指芯片中坏点（不能有效成像的像元或相应不一致性大于参数许可范围的像元）的数量，换点数是衡量 芯片质量的主要参数。 4. 光谱相应 光谱相应是指芯片对付不同光波长光芒的相应能力，常日用光谱相应曲线给出。
