当然，随着新能源车碳化硅的广泛运用，散热问题成为制约发展的瓶颈问题，双面散热方案被提到日程上来了。
AS9377无压烧结银
一 碳化硅双面散热的上风
双面散热 SiC 模块方面所做的事情，与传统的比较，该模块可以显示牵引逆变器性能的巨大改进单侧冷却模块。利用双面散热模块改进的性能，可以显著减少SiC芯片数量，从而带来功率密度和本钱上风。
1碳化硅芯片数量减少：从24颗减少到12颗或者16颗；
2热阻降落30% 以上；
3电感降落70%：由于不该用铜键合线；
4面积缩小50%；
5综合以上成分，可以提高靠近40%的功率密度。
二 碳化硅双面散热的实现方法
碳化硅双面散热 DSC来说，碳化硅芯片常日夹在两个导电导热基板之间。以前的顶部连接方法利用覆盖器件区域一部分的短金属柱，已经考试测验了许多材料用于金属柱，例如铜、钼等材料。
对付背面芯片来说，烧结银AS9377比焊接有在连接方面有上风，无压烧结银形成的致密银层具有更高的导热性和导电性以及更高的可靠性。利用无压烧结银膏的一个关键优点是：顶部打仗的散热系统形成过程中很随意马虎变形，从而适应几何变革，例如基板厚度的差异。
与用于芯片连接的其他焊料比较，烧结银的许多优点现在也转移到了顶部连接，以及低弹性模量的优点，因此比铜或钼柱有更低的机电应力。
三用于碳化硅芯片焊接的无压纳米烧结银
烧结银AS9377在 260°C 或更低的温度下利用固态扩散，可以在没有压力赞助的情形下达到高达50MPA的剪切强度和280W/M.K的导热率。
银烧结比传统焊接手法具有多种上风。比如低温固化高温服役；导热系数高；剪切强度大；环保无铅；性能可靠等上风。
结论
双面散热的功率模块封装的创新可以提高功率密度并减少 SiC 和等材料，从而在电动汽车运用中实现更低的本钱和更可持续的功率转换。
本文先容的利用无压烧结银AS9377的创新的碳化硅双面散热 DSC 方法可以成为用于提高电动汽车性能的浩瀚办理方案之一。
