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紧张都因此为三星的工艺太假了，晶体管密度这么低，3nm还不如英特尔的7nm。还有人表示还是intel最明净，在严格遵守摩尔定律。
而关于台积电，大家也认为还是有一定的掺水、造假嫌疑的，虽然比三星要好一点，但和intel比较，晶体管密度还是低一些。
当然，晶体管密度不是剖断工艺的唯一标准，只是参考，这个大家都是清楚的，虽然比拟起来，不管是台积电，还是三星，较之intel的工艺，晶体管密度确实低了一些。但不可否认的是，目前台积电的5nm芯片工艺，依然是环球最牛，没有对手。
（图片来自网络侵删）
首先从对别传播宣传的工艺节点来看，英特尔还在10nm，台积电在5nm，三星在5nm，至于其它芯片厂商，都在10nm以上，以是很明显，台积电5nm与三星的5nm，是当前最前辈的工艺了。
再结合晶体管密度，台积电的最新的5nm技能，能够实现的晶体管密度为1.73亿个每平方毫米；三星的最新的5nm技能，晶体管密度只能达到1.27亿个每平方毫米，逊色于台积电。
至于intel，现在还在10nm，能够实现的晶体管密度，还处于1.06亿个每平方毫米，以是很明显，台积电技能还是最强的。
事实上，从市场表现来看，也能够看得出来，台积电能够拿下55%的芯片代工市场，而三星只有17%旁边，解释厂商们的眼睛是雪亮的。
其余在10nm以下的芯片生产中，台积电能够拿下92%的份额，而三星只能拿下10nm以下的8%的份额，这也足够解释大家在10nm以下工艺时，还是更认可台积电的技能，而不是三星的技能。
