还搞不懂 IRF3205场效应管？一定要看这一文参数+引脚功能秒懂_栅极_电压

如果有什么缺点或者不对，欢迎各位大佬指示。

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本日是 IRF3205场效应管，紧张因此下几个方面：

IRF3205是一种N沟道功率MOS管，采取 TO-220AB 封装，事情电压为 55V 和 110A。
特点是其导通电阻极低，仅为 8.0mΩ，适用于逆变器、电机速率掌握器、DC-DC 转换器等开关电路。

IRF3205是一种随意马虎买到，价格较低的MOSFET，具有低导通电阻。
但是IRF3205 具有高阈值电压，因此不适用于嵌入式掌握器的开/关掌握。

IRF3205 引脚图解释

IRF3205 场效应管总有3个引脚，详细的如下所示：

IRF3205 引脚图解释

IRF3205 引脚图解释

1、IRF3205电路符号

IRF3205电路符号

2、IRF3205封装尺寸

IRF3205封装尺寸

3、IRF3205 3D模型

IRF3205 3D模型

1、电压规格

IRF3205 MOSFET的电压规格是栅源电压为+/-20V，漏源击穿电压为55v，栅极阈值电压在2到4V之间。

从IRF3205 MOSFET的电压规格可以看到IRF3205是一种常见的功率器件。

2、电流规格

IRF3205 MOSFET 的电流值为漏极电流为 110A，脉冲漏极电流值为 390A，这些电流规格表明 IRF3205 MOSFET 是一种大电流功率器件。

漏源泄电流为25uA，栅源正向泄电流为100nA，该功率器件的泄电流值较小。

3、功耗规格

IRF3205 MOSFET 的功耗为 200W，TO-220 功率 MOSFET 封装使其成为功耗更高的器件。

4、漏源到导通电阻

漏源导通电阻为8mΩ，是MOSFET显示的电阻值。

5、结温

IRF3205 MOSFET 的结温为175℃。

6、反向规复韶光 (trr)

IRF3205 MOSFET 的反向规复韶光为 69 至 104ns，这是开始导通之前放电所需的韶光量。

7、总栅极电荷 (Q g )

IRF3205 MOSFET 的总栅极电荷为 146nC，须要向栅极注入以开启 MOSFET 所需的总栅极电荷。

IRFB3206、IRFB3256、IRFB3307、IRF1405、IRFB3306 和 IRFB3006 等 MOSFET 器件是 IRF3205 的等效器件。

大多数这些 MOSFET 具有险些相同的电气规格，因此我们可以将它们等效利用。

不才表中，我们列出了每个 MOSFET 的电气规格然后进行比拟，例如 IRF3205 与 IRFB1405 与 IRFB4310，比较将帮助我们选择最适宜我们的等效产品。

每个 IRF3205、IRFB1405 和 IRFB4310 MOSFET 的电压规格险些相同。
IRFB4310 MOSFET 的电流规格和功耗值高于其他两个 MOSFET 器件，IRFB1405 MOSFET 的导通电阻值较高。

IRF3205 MOSFET与普通MOSFET不同，IRF3205 MOSFET的栅极层有厚氧化层，可以承受高输入电压，而普通MOSFET的栅极氧化层很薄，不能承受高压，即施加高电压会极大地影响整体性能。
设备。

IRF3205 MOSFET 中的栅极、源极和漏极类似于 BJT（双极结型晶体管）中的基极、集电极和发射极。

源极和漏极由n型材料制成，而元件主体和衬底由p型材料制成。
在衬底层上添加二氧化硅使该器件具有金属氧化物半导体构造。
IRF3205 MOSFET 是一种单极器件，通过电子的运动进行传导。

在器件中插入绝缘层，使栅极度子与全体主体分离。
漏极和源极之间的区域称为 N 沟道，它由栅极度子上的电压掌握。

与 BJT 比较，MOSFET 保持领先，由于 BJT 不须要输入电流来掌握剩余两个端子上的大量电流。

IRF3205 事情事理及构造

1、IRF3205 MOSFET的输出特性

下图显示了 IRF3205 MOSFET 的输出特性，该图是用漏源电流与漏源电压绘制的。

在固定的电压范围内，电压值会相对付电流值增加。
电流值增加到一定限度并变得恒定，同时电压将增加到无穷大范围。

IRF3205 MOSFET的输出特性

2、IRF3205 MOSFET的导通电阻特性

下图显示了 IRF3205 MOSFET 的导通电阻特性，该图绘制了漏源导通电阻与结温的关系。

在峰值电流值处，电阻从某个极限开始，温度值向更高的值增加。
导通电阻值随着结温的增加而增加，这表明在 MOSFET 的启动阶段电阻较低，然后会向上限增加。

IRF3205 MOSFET的导通电阻特性

下图为利用IRF3205的逆变电路，该图显示了利用 TL494 PWM 模块的逆变器电路，该模块带有一个由 IRF3205 MOSFET 制成的 h 桥。

1TL494 模块用于产生 PWM 脉冲并转发到 H 桥电路，基于 IRF3205 MOSFET 的 H 桥将 PWM 脉冲转换为互换旗子暗记。

IRF3205逆变器电路图

下图为利用IRF3205 MOSFET的继电器驱动电路，MOSFET接在线圈端地。

IRF3205继电器驱动电路

IRF3205 是用于快速开关的 N 沟道 Mosfet，因此被用来设计H桥。

这里设计了这个 Proteus 仿照，将直流电压转换为互换电压，如果仔细不雅观察，在 H 桥中利用了 IRF3205 MOSFET：

IRF3205仿真仿照-设计H桥

同时，将 IRF5210 用于 H-桥 中的 计数器。
如果你运行仿真，在示波器上该当会显示互换正弦波，如下图所示：

IRF3205仿真仿照-设计H桥

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图片来源于小红书