在中国正积极推动半导体自给自足之际，中国最大快闪存储器制造商长江存储终于传出一个振奋民气的好。
据《日经亚洲评论》1月12日宣布，长江存储最快今年中就有机会试产第一批192层3D NAND闪存芯片，但为了确保品质，这项试产操持也可能会推迟到今年下半才实施。
你可能还不理解长江存储192层3D NAND技能有多震荡业界？笔者这么说吧，现在包括韩国三星、美国美光这两大NAND型快闪存储器巨子、长江存储在内，所能量产的最前辈的版本都是128层3D NAND而已。
目前，三星下一代技能研发的目标是172层3D NAND，美光则开拓176层。
这就意味着长江存储靠近量产的192层3D NAND，在技能定义上确实比三星、美光更前辈。
笔者依稀记得，韩媒《Business Korea》在今年初还抱怨说，长江存储在完成128层3D NAND闪存芯片量产后，韩国芯片厂能领先中国技能差距，只有不到两年了。
但如今看来，韩媒还是太小瞧中国了，长江存储与韩国三星的差距还要更小，这也代表着中国半导体技能进步的速率恐怕要大大超过外界预期。
不过，虽然192层3D NAND的技能水平肯定比三星的172层和美光的176层更前辈，但能否实现真正的超越还要考虑多方面的成分。比如良品率和产能便是主要的技能指标。
根据日经的宣布，长江存储的良品率，目前大约在70%旁边，这一数据比较于三星、美光还有较大的提升的空间。
至于产能方面，长江存储耗资240亿美元（约1550亿公民币）的武汉工厂已经投产，一期每月可以量产10万片晶圆，大约在环球闪存芯片总产量7%的水平。而三星月产能为48万片晶圆，美光为月产能18万片晶圆。因此，总体上长江存储还须要努力追赶。
但长江存储这次打破192层 3D NAND技能，对中国的半导体自主化有非常主要的意义。
首先，须要理解什么是3D NAND。普通地说，3D NAND是相对“平面化”而言的。在平面化的哀求下，想要实现性能提升，意思便是要在硅片平面上刻出更细微的电路，但细微化是有技能门槛，也有技能天花板的，因此便催生了3D NAND芯片技能的运用，芯片的制程哀求可以缩小一倍以上，比如10纳米才可以达到的性能，利用3D NAND后，20纳米乃至30纳米就可以做到。
如果这项技能用得好的话，或许就能摆脱美国对中国半导体的技能胁迫，比如3D NAND利用国产的深紫外光刻机就能做到，因此不用再求着荷兰ASML公司卖给中国极紫外线光刻机了，虽然3D NAND技能现在常日只用在存储芯片领域，但电脑和智好手机的核心芯片在理论上也是可以利用的。
笔者认为，长江存储的技能打破是冲破外国技能垄断的一场胜利，对付中国半导体自主化进程而言更是一个莫大的鼓舞。
